处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXTD2090E6TA

ZXTD2090E6TA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 270mV@ 50mA,1A 2 NPN (Dual) 1.7W 5V 10nA 50V 50V 1A SOT-26 贴片安装
供应商型号: F-ZXTD2090E6TA
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
DIODES 三极管(BJT) ZXTD2090E6TA

ZXTD2090E6TA概述

    ZXTD2090E6 双路低饱和NPN开关晶体管技术手册

    产品简介


    ZXTD2090E6 是一款由Diodes Incorporated公司生产的50V双路NPN低饱和开关晶体管,封装形式为SOT26。这种晶体管具备高连续电流和低导通电阻的特点,适用于LCD背光逆变电路和DC-DC转换器的升压功能。该产品完全符合欧盟RoHS标准,并且是无卤素和锑的“绿色”设备,适用于各种高可靠性要求的应用场合。

    技术参数


    基本参数
    - 最大集电极-基极电压 (VCBO): 50V
    - 最大集电极-发射极电压 (VCEO): 50V
    - 最大发射极-基极电压 (VEBO): 7V
    - 最大连续集电极电流 (IC): 1A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 2A
    - 热阻抗 (RθJA): 179°C/W(空气), 73°C/W(铜散热片)
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55至+150°C
    - 静态最大功耗 (PD): 0.7W(空气),1.7W(铜散热片)
    电气特性
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 50V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 50V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 7V
    - 最大集电极-基极截止电流 (ICBO): 10nA
    - 最大集电极-发射极截止电流 (ICES): 10nA
    - 最大发射极截止电流 (IEBO): 10nA
    - 直流电流增益 (hFE): 200至450(不同条件下的典型值)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 80至270mV(不同条件下的典型值)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 940至1100mV(典型值)
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)): 850至1100mV(典型值)
    - 输出电容 (Cobo): 10pF(典型值)
    - 电流增益-带宽积 (fT): 215MHz(典型值)

    产品特点和优势


    ZXTD2090E6 的主要特点和优势包括:
    - 高连续电流能力: 最大集电极电流可达1A。
    - 低导通电阻: 饱和电阻 (RSAT) 仅为160mΩ,有效降低了导通损耗。
    - 高直流增益: 最大直流电流增益 (hFE) 达到450,确保了良好的控制性能。
    - 低饱和电压: 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) 低至270mV(典型值),提高了效率。
    - 符合环保标准: 无铅、无卤素,满足欧盟RoHS标准,同时也通过了AEC-Q101高可靠性标准认证。

    应用案例和使用建议


    ZXTD2090E6 在多种应用中表现出色,特别适合以下场景:
    - LCD背光逆变电路: 由于其低饱和电压和高电流能力,可以在背光逆变电路中实现高效能的电源转换。
    - DC-DC转换器的升压功能: 该晶体管能够有效地提升输出电压,同时保持较低的能耗和较高的转换效率。
    使用建议:
    - 散热设计: 考虑到晶体管的热阻,建议使用适当的散热措施,如加装散热片,以保证在高电流条件下正常运行。
    - 保护电路: 为了防止过载,建议在电路中加入合适的保护机制,例如电流限制或热关断功能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: ZXTD2090E6 可以与其他标准SOT26封装的晶体管互换使用,方便替换升级。
    - 支持服务: Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和服务,包括产品文档、技术咨询和售后支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 晶体管在高电流下过热。
    - 解决方案: 添加散热片或散热器,确保良好的热管理。
    - 问题: 晶体管无法正常关断。
    - 解决方案: 检查电路设计中的基极驱动电流是否足够,并确保基极驱动信号稳定。

    总结和推荐


    总体而言,ZXTD2090E6 双路NPN低饱和开关晶体管是一款性能卓越、广泛应用的器件,非常适合用于需要高电流、低饱和电压和高可靠性的场合。其环保特性及符合RoHS标准使其成为现代电子设备的理想选择。对于需要高效电源转换的系统,强烈推荐使用这款晶体管。

ZXTD2090E6TA参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCBO-最大集电极基极电压 50V
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置 -
晶体管类型 2 NPN (Dual)
集电极电流 1A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 270mV@ 50mA,1A
最大集电极发射极饱和电压 270mV@ 50mA,1A
最大功率耗散 1.7W
集电极截止电流 10nA
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTD2090E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTD2090E6TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTD2090E6TA ZXTD2090E6TA数据手册

ZXTD2090E6TA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.2374 ¥ 2.0111
6000+ $ 0.2353 ¥ 1.9932
9000+ $ 0.2332 ¥ 1.9752
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 6033.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886