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ZXMN10A07ZTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 1.4 A, SOT-89封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZXMN10A07ZTA SOT89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA概述


    产品简介


    ZXMN10A07Z 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 100V N-沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),封装形式为 SOT89。该产品特别适用于高效率功率管理应用,如直流-直流转换器、电源管理功能、电机控制及断路开关等。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 100V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 持续漏极电流 (稳态)
    - 在 TA = 25°C:1.4A
    - 在 TA = 70°C:1.1A
    - 在 TA = 25°C (脉冲条件):4.2A
    - 连续源电流 (体二极管):
    - 在 TA = 25°C:2.1A
    - 在 TA = 70°C (脉冲条件):4.2A
    - 热阻
    - 结到环境热阻 (TA = 25°C): 83.3°C/W
    - 结到环境热阻 (TA = 70°C): 47.4°C/W
    - 结到引脚热阻: 6.36°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V, ID = 1.5A 时:700mΩ
    - 在 VGS = 6V, ID = 1A 时:900mΩ
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS): 1.0μA (VDS = 100V, VGS = 0V)
    - 输入电容 (Ciss): 138pF (VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 反向传输电容 (Crss): 6pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 2.9nC
    - 栅极驱动电阻 (Rg): 1.8Ω

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 有助于降低功耗和提高效率。
    - 低阈值电压: 易于驱动,适合于电池供电设备。
    - 快速开关速度: 减少开关损耗,提高系统整体效率。
    - 低栅极驱动: 减小驱动电路的复杂度和成本。
    - 无铅且符合RoHS标准: 环保,适应当今电子产品的需求。
    - 卤素和锑自由: 符合绿色生产标准,更环保。
    - 符合AEC-Q101标准: 高可靠性,适合汽车电子应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流-直流转换器: 用于电源管理系统的稳压和转换。
    - 电机控制: 用于电动机的调速和方向控制。
    - 断路开关: 用于过载保护和其他安全应用。
    使用建议:
    - 注意散热: 使用适当的散热措施以防止高温导致性能下降。
    - 选择合适的驱动器: 为了充分发挥快速开关速度的优势,需要选择合适的栅极驱动器。
    - 合理布局: 根据数据表中的建议进行 PCB 布局设计,减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种电子设备和系统,尤其适合那些需要高效能和高可靠性的场合。
    - 技术支持: Diodes Incorporated 提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何减小开关损耗?
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻 (Rg) 并确保栅极驱动信号的稳定性和快速响应。
    2. 在高温环境下工作时性能下降怎么办?
    - 解决方案: 使用散热器或强制风冷以保持设备在允许的工作温度范围内运行。
    3. 如何保证长期可靠性?
    - 解决方案: 遵循制造商的建议进行测试和使用,并定期检查设备的工作状态。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN10A07Z 是一款高性能、高可靠性的 N-沟道增强型 MOSFET。它的低导通电阻、快速开关速度和环保特性使其非常适合各种高效率应用。对于需要高性能和高可靠性的工程师来说,这款产品是一个理想的选择。强烈推荐将此产品应用于要求苛刻的电源管理和电机控制等应用场景。

ZXMN10A07ZTA参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 1.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 138pF@50V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 2.9nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 1.5W(Ta)
Id-连续漏极电流 1A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
长*宽*高 4.5mm*2.5mm*1.5mm
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN10A07ZTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN10A07ZTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA数据手册

ZXMN10A07ZTA封装设计

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