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ZTX458

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流300 mA, 最大集电极-发射电压400 V
供应商型号: ZTX458
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
DIODES 三极管(BJT) ZTX458

ZTX458概述

    NPN硅平面中功率高压晶体管技术手册

    产品简介


    NPN硅平面中功率高压晶体管是一种广泛应用于各种电子电路中的关键元件。该晶体管采用了先进的硅平面工艺制造,能够在高达400伏特的工作电压下稳定运行,并且可以处理连续电流达0.5安培。它的主要功能是作为放大器或开关元件,广泛应用于家用电器、工业控制设备和通信设备等领域。

    技术参数


    以下是该晶体管的主要技术参数和技术规格:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 400V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 400V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5V
    - 连续集电极电流 (IC): 300mA
    - 功耗(Ta=25°C)(Ptot): 1W
    - 工作和存储温度范围 (Tj:Tstg): -55°C至+200°C
    - 电气特性(Ta=25°C):
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 400V (IC=100µA)
    - 集电极-发射极击穿电压 (VCEO(sus)): 400V (IC=10mA)
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 5V (IE=100µA)
    - 集电极截止电流 (ICBO): 100nA (VCB=320V)
    - 集电极截止电流 (ICES): 100nA (VCE=320V)
    - 发射极截止电流 (IEBO): 100nA (VEB=4V)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.2~0.5V (IC=20mA, IB=2mA; IC=50mA, IB=6mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 0.9V (IC=50mA, IB=5mA)
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)): 0.9V (IC=50mA, VCE=10V)
    - 静态正向电流传输比 (hFE): 100~150 (IC=1mA, VCE=10V; IC=50mA, VCE=10V; IC=100mA, VCE=10V)
    - 转换频率 (fT): 50MHz (IC=10mA, VCE=20V)

    产品特点和优势


    这款晶体管具备以下几个独特的功能和优势:
    - 高耐压能力:最高可承受400伏特的电压,适合在高电压环境下使用。
    - 良好的电流处理能力:连续电流可达0.5安培,适用于大功率应用。
    - 稳定的温控性能:可以在-55°C至+200°C的温度范围内正常工作,适应多种环境条件。
    - 优秀的动态特性:具有较低的饱和电压和较高的转换频率,保证了其在高频应用中的表现。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的典型特性图表,该晶体管适用于家用电器、工业控制设备和通信设备等领域。在实际应用中,可以作为开关元件或者放大器使用。以下是一些建议:
    - 在需要高耐压的应用中,可以考虑使用该晶体管。
    - 当要求低功耗和高效率时,可以通过调整驱动信号来优化其性能。
    - 在某些高温或低温环境中,需确保设备在规定的温度范围内工作,以避免损坏。

    兼容性和支持


    该晶体管采用了标准的TO92封装,与市场上常见的同类产品兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括安装指南、常见问题解答以及故障排查手册。此外,客户还可以通过官方技术支持渠道获取帮助。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,以下列出了几个用户可能遇到的问题及对应的解决办法:
    - 问题:晶体管在使用过程中过热。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇。
    - 问题:晶体管工作不稳定。
    - 解决方案:确认电源电压和负载电流是否在规定范围内,调整电路设计以优化工作状态。
    - 问题:晶体管无法正常导通。
    - 解决方案:检查驱动信号是否达到饱和电压的要求,必要时调整基极电阻值。

    总结和推荐


    综上所述,NPN硅平面中功率高压晶体管在性能和可靠性方面表现出色,非常适合在高电压、大电流的应用场景中使用。考虑到其优秀的耐温能力和低功耗特性,强烈推荐在各类家用电器、工业控制设备和通信设备中使用该晶体管。

ZTX458参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 400V
集电极截止电流 100nA
集电极电流 300mA
配置 独立式
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 400V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 6mA,50mA
最大功率耗散 1W
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 6mA,50mA
长*宽*高 4.57mm*2.28mm*3.9mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX458厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX458数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX458 ZTX458数据手册

ZTX458封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.2779
5000+ ¥ 2.1472
8000+ ¥ 2.1098
12000+ ¥ 2.0912
库存: 40000
起订量: 4000 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:2500
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