处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXTN620MATA

ZXTN620MATA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 325mV@ 300mA,3.5A NPN 2.45W 7V 25nA 100V 80V 3.5A DFN-2020B-3 贴片安装 2mm*2mm*600μm
供应商型号: ZXTN620MATA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN620MATA

ZXTN620MATA概述


    产品简介


    ZXTN620MA 80V NPN 低饱和电压晶体管
    ZXTN620MA 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高可靠性 NPN 晶体管,适用于多种电子设备和电路。该产品具备高击穿电压、低饱和电压和高电流增益等特点,广泛应用于 MOSFET 门驱动、直流-直流转换器、充电电路、电机控制及电源开关等领域。

    技术参数


    - 额定电压:VCBO(集电极-基极击穿电压)> 100V,VCEO(集电极-发射极击穿电压)> 80V,VEBO(发射极-基极击穿电压)> 7V。
    - 最大电流:连续集电极电流 IC 最大值为 3.5A,峰值脉冲电流 ICM 最大值为 5A。
    - 低饱和电压:VCE(sat) 最大值为 185mV(@1A)。
    - 导通电阻:RSAT 为 68mΩ。
    - 热阻抗:RθJA 最小值为 51°C/W,RθJL 为 16.8°C/W。
    - 工作温度范围:TJ, TSTG 为 -55°C 至 +150°C。
    - 热特性:在标准条件下,功率耗散 PD 为 1.5W,热阻 RθJA 在线性降额因子为 2.45 mW/°C。

    产品特点和优势


    - 高可靠性:已通过 AEC-Q101 标准认证,确保了产品在极端环境下的稳定性和可靠性。
    - 低饱和电压:最大饱和电压为 185mV,有助于减少功耗,提高效率。
    - 紧凑封装:0.6mm 高度的 DFN2020B-3 封装,非常适合需要薄型设计的应用。
    - 环保材料:符合 RoHS 和无卤素标准,满足绿色制造要求。
    - 出色的热管理:相比传统的 SOT23 封装,ZXTN620MA 的热阻抗更小,能够更有效地散热。

    应用案例和使用建议


    - MOSFET 门驱动:在需要高可靠性的场合,如电动汽车逆变器系统中使用,确保电路的稳定性。
    - DC-DC 转换器:由于其低饱和电压特性,可以显著提高转换效率。
    - 充电电路:用于笔记本电脑和其他便携式设备的电池充电,提高充电效率并延长电池寿命。
    - 电机控制:用于工业自动化设备中的电机控制,实现高效和可靠的驱动。
    使用建议:在设计电路时,应考虑到 ZXTN620MA 的热特性,确保散热良好,避免长时间工作在高温环境中,以保持其最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXTN620MA 可与多种电子元器件和设备兼容,易于集成到现有的系统中。
    - 技术支持:Diodes Incorporated 提供全面的技术支持,包括详细的电气特性和机械特性数据,以及在线技术支持平台,帮助用户解决使用过程中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定合适的散热方案?
    - 解答:通过参考 ZXTN620MA 的热阻抗数据,结合具体的应用场景,选择合适的散热方案,例如使用大面积铜箔和散热片来改善散热效果。
    2. 问题:在哪些应用场合下需要特别注意?
    - 解答:在高温环境下工作时,应特别关注热管理,防止过热导致性能下降或损坏。确保使用合适的散热措施,如散热器或散热片。
    3. 问题:如何判断 ZXTN620MA 是否正常工作?
    - 解答:可以通过测量集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))和静态电流增益(hFE)来确认。如果这些参数在正常范围内,说明晶体管工作正常。

    总结和推荐


    ZXTN620MA 作为一款高可靠性的 NPN 晶体管,凭借其优异的电气特性和紧凑的封装设计,在 MOSFET 门驱动、DC-DC 转换器、充电电路和电机控制等多个领域表现出色。其低饱和电压和高电流增益特性使其成为设计高效电路的理想选择。如果您正在寻找一个高可靠性和高性能的 NPN 晶体管解决方案,强烈推荐使用 ZXTN620MA。

ZXTN620MATA参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 100V
最大功率耗散 2.45W
最大集电极发射极饱和电压 0.325@ 300mA,3.5A
集电极电流 3.5A
集电极截止电流 25nA
配置 独立式
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 325mV@ 300mA,3.5A
长*宽*高 2mm*2mm*600μm
通用封装 DFN-2020B-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN620MATA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN620MATA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN620MATA ZXTN620MATA数据手册

ZXTN620MATA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.125
200+ ¥ 1.003
400+ ¥ 0.986
800+ ¥ 0.969
库存: 6000
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.12
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886