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ZXMP10A17GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 4V@ 250µA 10.7nC@ 10 V 1个P沟道 100V 350mΩ@ 1.4A,10V 424pF@50V SOT-223-3 贴片安装
供应商型号: 30C-ZXMP10A17GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA概述

    ZXMP10A17G P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMP10A17G 是一种100V P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计旨在最小化导通电阻,同时保持卓越的开关性能。这种MOSFET适用于高效率电源管理应用,具体应用领域包括电机控制、直流-直流转换器、电源管理功能、继电器和螺线管驱动。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \(V{DSS}\): -100V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 持续漏极电流 \(ID\):
    - 在 \(V{GS} = 10V\) 时为 -2.4A (\(TA = +70°C\))
    - 在 \(V{GS} = 10V\) 时为 -1.9A (额定)
    - 在 \(V{GS} = 10V\) 时为 -1.7A (脉冲)
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\): -2.0V 至 -4.0V
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(ON)}\):
    - 在 \(V{GS} = -10V\) 时为 0.350Ω
    - 在 \(V{GS} = -6V\) 时为 0.450Ω
    - 电容:
    - 输入电容 \(C{iss}\): 424pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 36.6pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 29.8pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\):
    - 在 \(V{GS} = -6V\) 时为 7.1nC
    - 在 \(V{GS} = -10V\) 时为 10.7nC
    - 热特性:
    - 功耗 \(PD\): 16W (最大)
    - 热阻 \(R{θJA}\): 62.5°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 快速开关速度:ZXMP10A17G的低输入电容使得其具有快速开关速度,从而降低开关损耗。
    - 低栅极驱动:较低的栅极驱动需求使得系统整体功耗更低。
    - 无铅工艺,符合RoHS标准:环保材料,适用于高可靠性应用。
    - 通过AEC-Q101认证:适合用于汽车和其他高可靠性应用。
    - 绿色设备:不含卤素和锑,满足“绿色”设备的要求。

    应用案例和使用建议


    ZXMP10A17G MOSFET广泛应用于各种需要高效率电源管理和可靠性的场合。例如,在电机控制和直流-直流转换器中,其高效的开关性能和低导通电阻可以显著提高系统的总体效率。使用时应注意散热管理,避免过热情况发生。
    - 使用建议:在选择散热措施时,确保散热片的安装能够有效带走多余的热量,以防止MOSFET因过热而失效。
    - 优化方案:利用软件或电路优化策略来进一步减少开关损耗和导通时间。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMP10A17G具有广泛的适用性,可与其他多种标准封装的MOSFET产品互换使用。
    - 支持信息:制造商提供详尽的技术文档和在线支持,帮助客户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的散热措施?
    - 解答:在安装散热片之前,需要根据MOSFET的最大功耗和工作环境计算所需的热阻。参考技术手册中的热阻参数,选择合适的散热措施。

    - 问题2:如果发现MOSFET过热怎么办?
    - 解答:首先检查散热片是否正确安装且工作正常,确认散热路径没有堵塞。如果问题仍然存在,可能需要调整负载电流或更换散热措施。

    总结和推荐


    ZXMP10A17G MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关速度和出色的耐温特性,非常适合于高效率的电源管理和严苛的应用环境。由于其优越的电气特性和良好的可靠性,强烈推荐在各种高要求的电子系统中使用该产品。无论是电机控制还是其他电源管理应用,ZXMP10A17G都将是您的理想选择。

ZXMP10A17GTA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 2W(Ta)
栅极电荷 10.7nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 424pF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 350mΩ@ 1.4A,10V
FET类型 1个P沟道
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
6.7mm(Max)
3.7mm(Max)
1.8mm(Max)
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP10A17GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP10A17GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP10A17GTA ZXMP10A17GTA数据手册

ZXMP10A17GTA封装设计

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