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ZXTN25050DFH

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.81W 7V 150V 50V 4A SOT-23 贴片安装
供应商型号: 1251220
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
DIODES 三极管(BJT) ZXTN25050DFH

ZXTN25050DFH概述

    ZXTN25050DFH 50V SOT23 NPN Medium Power Transistor

    1. 产品简介


    ZXTN25050DFH 是一款采用 SOT23 封装的高性能 NPN 中功率晶体管。 它适用于各种需要高可靠性、紧凑设计的应用场景,如 MOSFET 门驱动器、电源开关、电机控制、直流风扇及 DC-DC 转换器等。由于其小巧的外形尺寸和卓越的性能,ZXTN25050DFH 在空间受限的应用中尤为理想。

    2. 技术参数


    以下是 ZXTN25050DFH 的技术规格和性能参数:
    - 额定电压参数
    - BVCEX > 150V
    - BVCEO > 50V
    - BVECO > 5V
    - VEB > 7V
    - 电流参数
    - 连续集电极电流 IC(cont) = 4A
    - 基极电流 IB = 1A
    - 峰值脉冲电流 ICM = 10A
    - 功率参数
    - PD(环境温度为 25°C)= 1.25W
    - 线性降额因子:14.5 W/m°C(环境温度低于 5 秒)
    - 工作温度范围
    - 工作温度 Tj = -55 至 +150°C
    - 热阻
    - 环境至接点的热阻(不同条件)RθJA = 171°C/W, 119°C/W, 100°C/W, 69°C/W
    - 静态电流转移比 hFE
    - IC = 10mA, VCE = 2V: 300-900
    - IC = 1A, VCE = 2V: 240-410
    - IC = 4A, VCE = 2V: 20-40
    - 开关时间参数
    - 开通延迟时间 td = 65ns
    - 存储时间 ts = 429ns
    - 关断时间 tf = 140ns
    - 输出电容 COBO
    - VCB = 10V, f = 1MHz: 12-20pF

    3. 产品特点和优势


    ZXTN25050DFH 拥有以下显著特点:
    - 高功率耗散能力:SOT23 封装设计使得它能够在紧凑的空间内实现高效散热。
    - 高峰值电流:能够承受高达 10A 的峰值脉冲电流,适合于瞬态负载较大的应用。
    - 高增益:hFE 值高达 900,确保了高效的信号放大能力。
    - 低饱和电压:VCE(sat) < 60mV,从而降低了功耗。
    - 高击穿电压:前向和反向击穿电压分别为 150V 和 5V,保证了其在高压环境下的稳定工作。
    - 先进的制造工艺:利用高级工艺技术提高器件的可靠性和性能。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXTN25050DFH 广泛应用于多种场合,包括:
    - MOSFET 门驱动器:用于驱动功率 MOSFET,在电机控制系统中起到关键作用。
    - 电源开关:在 DC-DC 转换器中作为开关元件,以实现高效率的能量转换。
    - 电机控制:通过精确控制电机的电流,实现高效的电机运行。
    使用建议:
    - 考虑散热:虽然 ZXTN25050DFH 有较高的热阻,但在某些情况下仍需外加散热片以避免过热。
    - 合理选择基极电阻:根据具体应用场景选择合适的基极电阻值,以确保适当的电流增益和稳定性。
    - 检查电压等级:确认应用环境的电压不会超过其额定电压。

    5. 兼容性和支持


    ZXTN25050DFH 与常见的 PCB 制造标准兼容,适用于各种通用 PCB 设计。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括电路图、应用笔记和技术论坛,以便用户解决遇到的技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确保长期稳定工作?
    - A: 适当增加散热措施,并定期检查工作温度,确保不超过 150°C 的极限。
    - Q: 高峰值电流会导致哪些问题?
    - A: 需要特别注意瞬态响应时间和存储时间,防止开关损耗过高。
    - Q: 为什么需要在基极添加电阻?
    - A: 为了限制基极电流,保护晶体管不受损坏,同时确保合理的电流增益。

    7. 总结和推荐


    总体来看,ZXTN25050DFH 以其高功率密度、低饱和电压和高可靠性等特点,在多种应用场景中表现出色。强烈推荐在需要紧凑布局和高功率处理能力的设计中使用此器件。结合其广泛的适用性和可靠的性能,ZXTN25050DFH 成为众多工程师的理想选择。

ZXTN25050DFH参数

参数
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCBO-最大集电极基极电压 150V
集电极电流 4A
最大功率耗散 1.81W
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

ZXTN25050DFH厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN25050DFH数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN25050DFH ZXTN25050DFH数据手册

ZXTN25050DFH封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.7074
50+ ¥ 2.6032
100+ ¥ 2.3325
500+ ¥ 2.2908
1500+ ¥ 2.2908
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