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ZXMP10A13FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 700 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-ZXMP10A13FTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP10A13FTA

ZXMP10A13FTA概述

    ZXMP10A13F:100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    ZXMP10A13F 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 100V 额定电压 P-通道增强模式 MOSFET。它具备低导通电阻(RDS(ON))和快速开关速度的特点,特别适用于高效率的电源管理应用。这款 MOSFET 主要应用于直流-直流转换器、电源管理功能、断路开关及电机控制等领域。

    技术参数


    ZXMP10A13F 的技术参数如下:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | -100 | - | - | V | ID = -250μA, VGS = 0V |
    | 无栅源电压漏极电流 | IDSS | - | - | -1.0 | μA | VDS = -100V, VGS = 0V |
    | 栅源漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA | VGS = ±20V, VDS = 0V |
    | 栅阈值电压 | VGS(TH) | -2.0 | - | -4.0 | V | ID = -250μA, VDS = VGS |
    | 导通阻抗 | RDS(ON) | - | - | 1.0 | Ω | VGS = -10V, ID = -0.6A |
    | 正向传输电导 | gFS | - | 1.2 | - | S | VDS = -15V, ID = -0.6A |
    | 二极管正向电压 | VSD | - | -0.85 | -0.95 | V | TJ = +25°C, IS = -0.75A, VGS = 0V |

    产品特点和优势


    ZXMP10A13F 具备多种独特的优势:
    - 快速开关速度:可实现高效能的电源管理和快速响应。
    - 低输入电容:减少电路中的杂散效应,提高整体系统的稳定性。
    - 低栅电荷:减少开关损耗,提高能效。
    - 低阈值电压:降低驱动电路复杂度,简化设计。
    - 无铅全RoHS合规:符合欧盟环保要求。
    - 完全不含卤素和锑:绿色产品,环保安全。
    - AEC-Q101认证:符合汽车级可靠性标准。
    - SOT23 封装:小型化封装,适合各种空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    ZXMP10A13F 在许多应用场景中表现卓越,例如:
    - DC-DC 转换器:利用其低 RDS(ON) 和快速开关速度特性,实现高效的电压转换。
    - 电源管理功能:减少能量损耗,提升整体系统效率。
    - 断路开关:快速切断电路,保护设备免受损坏。
    - 电机控制:确保电机运行平稳,减少振动和噪音。
    建议在使用时注意散热设计,以确保长时间稳定工作。通过合理的电路布局和外部元件选型,可以进一步优化整体性能。

    兼容性和支持


    ZXMP10A13F 采用 SOT23 封装,易于集成到现有设计中。该产品与同类产品具有良好的兼容性,适用于广泛的电子设备。Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持和售后保障,确保客户能够顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    在使用 ZXMP10A13F 过程中,可能会遇到以下问题:
    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查栅极电压是否正确设置,确保其低于阈值电压。
    - 问题:散热不良导致过热
    - 解决方案:增加散热片或采用适当的 PCB 设计,以优化热传导。
    - 问题:性能不稳定
    - 解决方案:确保焊接质量和电气连接良好,检查周围环境温度和湿度是否超出允许范围。

    总结和推荐


    ZXMP10A13F 是一款优秀的 P-通道 MOSFET,具有高可靠性、快速开关速度和低导通电阻等特点。它非常适合用于高效率电源管理和电机控制等应用。鉴于其广泛的适用性和出色的性能表现,强烈推荐使用 ZXMP10A13F。对于需要高性能和可靠性的电子设备制造商来说,这是一个绝佳的选择。

ZXMP10A13FTA参数

参数
最大功率耗散 625mW(Ta)
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 600mA,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 3.5nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 141pF@50V
Id-连续漏极电流 600mA
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP10A13FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP10A13FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP10A13FTA ZXMP10A13FTA数据手册

ZXMP10A13FTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.277
10+ ¥ 1.1499
100+ ¥ 1.0087
500+ ¥ 0.8348
1000+ ¥ 0.7727
3000+ ¥ 0.7265
6000+ ¥ 0.7176
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