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ZXMP6A17E6QTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.1W(Ta) 20V 3V@ 250µA 17.7nC@ 10 V 1个P沟道 60V 125mΩ@ 2.3A,10V 2.3A 637pF@30V SOT-26 贴片安装 3mm*1.6mm*1.15mm
供应商型号: ZXMP6A17E6QTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP6A17E6QTA

ZXMP6A17E6QTA概述

    ZXMP6A17E6Q P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册



    1. 产品简介



    ZXMP6A17E6Q 是一款由 Diodes Incorporated 设计的 60V P 沟道增强型 MOSFET。这款 MOSFET 主要用于高效率电源管理应用,适用于多种工业和消费电子设备。它的主要功能包括开关性能优异、低导通电阻、低阈值电压等。主要的应用领域包括直流-直流转换器、电源管理功能、断路开关及电机控制等。


    2. 技术参数



    - 额定电压: VDSS = -60V
    - 最大连续漏电流: ID (TA = +70°C) = -2.4A (TA = +25°C) = -3.0A
    - 最大脉冲漏电流: IDM = -13.6A (VGS = 10V)
    - 最大连续源电流 (体二极管): IS = -2.5A
    - 最大脉冲源电流 (体二极管): ISM = -13.6A
    - 工作温度范围: TJ, TSTG = -55°C 到 +150°C
    - 热阻: RθJA = 113°C/W
    - 静态漏源导通电阻: RDS(on) = 125mΩ @ VGS = -10V, ID = -2.3A
    - 输入电容: CISS = 637pF @ VDS = -30V, VGS = 0V, f = 1.0MHz
    - 输出电容: COSS = 70pF @ VDS = -30V
    - 反向传输电容: CRSS = 53pF
    - 总栅极电荷: Qg = 9.8nC @ VGS = -5.0V, VDS = -30V, ID = -2.3A
    - 门极-源极电荷: QGS = 1.6nC @ VGS = -10V
    - 门极-漏极电荷: QGD = 4.4nC


    3. 产品特点和优势



    - 低导通电阻: 导通电阻仅为 125mΩ @ VGS = -10V,这使其在高效率电源管理应用中表现优异。
    - 快速开关速度: 高速开关性能有助于减少能耗,提升系统整体效率。
    - 低阈值电压: 低阈值电压使得栅极驱动要求更低,简化了电路设计。
    - 低输入电容: 输入电容低可以减少栅极驱动损耗,提高系统的效率。
    - 环保认证: 无铅且完全符合 RoHS 标准,适合现代绿色制造标准。
    - 高可靠性: 符合 AEC-Q101 标准,确保了在汽车等高可靠性要求领域的应用。


    4. 应用案例和使用建议



    - 直流-直流转换器: 在高效率电源管理系统中,ZXMP6A17E6Q 可以有效地减少能量损失,提高系统稳定性。
    - 电机控制: 其低导通电阻和快速开关性能特别适合于电机控制,可以提高电机的工作效率和响应速度。
    - 断路开关: 低导通电阻和高可靠性使得它成为断路开关的理想选择,能够在高电压下稳定工作。

    使用建议:
    - 确保电路设计时充分考虑散热问题,避免过高的温度影响 MOSFET 的性能。
    - 在应用前仔细检查栅极驱动的设计,以确保合适的驱动电压和电流,避免不必要的损坏。


    5. 兼容性和支持



    - 兼容性: 与常见的 SOT26 封装兼容,可以轻松集成到现有电路板设计中。
    - 支持和维护: Diodes Incorporated 提供详细的技术文档和支持服务,包括 AP02002 和 AP02001 尺寸和建议的焊盘布局。


    6. 常见问题与解决方案



    - 问题: 电源管理应用中,ZXMP6A17E6Q 有时出现过热现象。
    - 解决方案: 增加外部散热措施,如增加散热片或使用高效散热材料,以降低工作温度。
    - 问题: 栅极驱动电压不稳定导致 MOSFET 工作异常。
    - 解决方案: 使用更稳定的电源或增加缓冲电路来稳定栅极驱动电压。
    - 问题: 系统在高负载情况下性能下降。
    - 解决方案: 检查系统设计是否合理,确保散热和电路设计能够满足高负载条件下的需求。


    7. 总结和推荐



    ZXMP6A17E6Q 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,适用于各种高效率电源管理和电机控制应用。其低导通电阻、快速开关性能和高可靠性使其在市场上具有显著的竞争优势。如果您的应用需要高性能、高效率的解决方案,强烈推荐使用 ZXMP6A17E6Q。

    ---

    通过详细的规格和技术特性描述,可以看出 ZXMP6A17E6Q 是一款非常适合高效率电源管理和电机控制的电子元器件,其独特的性能优势使其在同类产品中脱颖而出。

ZXMP6A17E6QTA参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2.3A
最大功率耗散 1.1W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 17.7nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 125mΩ@ 2.3A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 637pF@30V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 3mm*1.6mm*1.15mm
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP6A17E6QTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP6A17E6QTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6QTA数据手册

ZXMP6A17E6QTA封装设计

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