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ZXMN10A07F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 806mW 20V 4V 2.9nC@ 10V 1个N沟道 100V 700mΩ@ 10V 138pF@ 50V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 10B-9525700-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN10A07F

ZXMN10A07F概述


    产品简介


    产品类型: ZXMN10A07F 是一款由 Zetex 生产的100V N-通道增强模式MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能: 这款 MOSFET 利用独特的沟槽结构,实现了低导通电阻和快速开关速度。这使得它非常适合高效率、低电压电源管理应用。
    应用领域:
    - 直流-直流转换器(DC-DC converters)
    - 电源管理功能(Power Management functions)
    - 断开开关(Disconnect switches)
    - 电机控制(Motor control)

    技术参数


    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 100V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \):
    - \( V{GS} = 10V, TA = 25°C \): 0.7A
    - \( V{GS} = 10V, TA = 70°C \): 0.6A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 3.5A
    - 持续源电流(体二极管) \( IS \): 0.5A
    - 脉冲源电流(体二极管) \( I{SM} \): 3.5A
    - 最大功率耗散 \( PD \):
    - \( TA = 25°C \): 625mW
    - \( TA = 70°C \): 806mW
    - 线性降额因子 \( PD \): 5mW/°C
    - 工作和存储温度范围 \( Tj; T{stg} \): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    低导通电阻 (RDS(on)):
    - \( R{DS(on)} \) 在 \( V{GS} = 10V, ID = 1.5A \) 时为 0.7Ω。
    - \( R{DS(on)} \) 在 \( V{GS} = 6V, ID = 1A \) 时为 0.9Ω。
    快速开关速度:
    - 开启延迟时间 \( td(on) \) 为 1.8ns
    - 关闭延迟时间 \( td(off) \) 为 4.1ns
    - 上升时间 \( tr \) 为 1.5ns
    - 下降时间 \( tf \) 为 2.1ns
    这些特点使其在高效率电源管理领域具有显著的优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在直流-直流转换器中用于调节电压和电流。
    - 作为断开开关,提供可靠的电力控制。
    - 电机控制中的高效驱动器。
    使用建议:
    - 确保在高温度环境中使用时,考虑到功率耗散限制。
    - 使用适当的散热措施,以避免过热。
    - 采用低电感连接,以减少寄生效应。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 此 MOSFET 可与其他标准电子设备兼容。
    - SOT23 封装便于与其他小型组件集成。
    支持:
    - Zetex 公司提供详尽的技术文档和售后支持。
    - 客户可以通过电话、传真或电子邮件获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:功率耗散超过额定值
    - 解决方案:确保使用散热片或其他冷却方法以降低工作温度,保持在安全范围内。
    问题2:漏极电流不稳定
    - 解决方案:检查连接线路是否有短路现象,确认电压源稳定。

    总结和推荐


    综合评估:
    - ZXMN10A07F MOSFET 提供了卓越的低导通电阻和快速开关性能,适用于多种高效率应用。
    - 其耐用的设计和广泛的应用范围使其成为理想的电源管理解决方案。
    推荐:
    - 强烈推荐使用此产品,尤其在需要高效率、快速响应的电力管理应用中。

ZXMN10A07F参数

参数
最大功率耗散 806mW
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 2.9nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 138pF@ 50V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装

ZXMN10A07F厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN10A07F数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN10A07F ZXMN10A07F数据手册

ZXMN10A07F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 3.0951
100+ ¥ 2.4363
500+ ¥ 1.7153
725+ ¥ 1.6467
10000+ ¥ 1.6229
库存: 4760
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