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DMNH10H028SPS-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.6W(Ta) 20V 4V@ 250µA 36nC@ 10 V 1个N沟道 100V 28mΩ@ 20A,10V 40A 2.245nF@50V PDI-50608 贴片安装 4.9mm(长度)*5.8mm(宽度)
供应商型号: AV-S-DIIDMNH10H028SPS13
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13概述

    # DMNH10H028SPS 100V 175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术概述

    产品简介


    DMNH10H028SPS 是一款由 Diodes Incorporated 生产的功率场效应晶体管(MOSFET),属于增强型 N 沟道设计。其核心设计旨在最小化导通电阻(RDS(ON))的同时保持卓越的开关性能,使其成为高效率电源管理应用的理想选择。该产品以其紧凑的封装形式和出色的热效能著称,适用于需要高效能和小型化的电子设备中。
    主要功能
    - 极低的导通电阻(RDS(ON))
    - 高效的开关速度
    - 温度范围宽(-55°C 至 +175°C)
    应用领域
    - 功率管理功能
    - 直流-直流转换器
    - 其他高性能电源管理电路

    技术参数


    以下是 DMNH10H028SPS 的关键技术规格:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 100 | V |
    | 最大栅源电压 | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(VGS=10V)| 40 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 54 | A |
    | 最大结温 | 175 | °C |
    | 导通电阻(VGS=10V) | 28 | mΩ |
    其他特性包括:
    - 输入电容:最大值 2245 pF
    - 输出电容:最大值 173 pF
    - 反向转移电容:最大值 68 pF
    - 总门极电荷:典型值 36 nC
    - 开关延迟时间:典型值 6.4 ns

    产品特点和优势


    特点
    1. 热效能:采用 POWERDI®5060-8 封装,显著降低器件的运行温度,延长使用寿命。
    2. 高转换效率:低 RDS(ON) 和快速开关能力有效减少功耗。
    3. 环保合规:无卤素、锑化合物及铅成分,符合 RoHS 和 AEC-Q101 标准。
    优势
    - 薄型设计:高度仅 1.1mm,适合空间受限的应用。
    - 高可靠性:通过严格的工业标准测试,适合汽车和其他高可靠性要求的领域。
    - 低成本:通过优化制造工艺实现性价比优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 数据中心电源系统:用于提高效率和降低能耗。
    - 汽车电子控制单元:满足高温环境下的稳定运行需求。
    - 工业自动化设备:提升设备运行效率并减少发热问题。
    使用建议
    - 在设计时需注意散热管理,避免长期过载运行。
    - 使用时建议结合良好的 PCB 布局以最大化热传导效果。
    - 结合具体应用场景选择合适的门极驱动电路,确保最佳性能表现。

    兼容性和支持


    兼容性
    DMNH10H028SPS 与多种电源管理 IC 和外围电路完全兼容,可广泛应用于各类直流供电系统中。
    支持服务
    Diodes Incorporated 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线文档、样本请求和技术咨询等资源。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 改进散热设计,增加散热片或降低负载 |
    | 导通电阻异常偏高 | 确认输入电压是否达到最低阈值 |
    | 出现间歇性断开故障 | 检查接线端子是否接触良好 |

    总结和推荐


    DMNH10H028SPS 是一款性能卓越、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合对效率和小型化有严格要求的现代电子系统。其显著的热效能、低导通电阻和广泛的温度适应性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐该产品用于高效率电源管理和高可靠性工业应用中。
    如果您需要进一步的信息或技术支持,请访问 Diodes Incorporated 官方网站或联系技术支持团队。

DMNH10H028SPS-13参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 20A,10V
通道数量 -
最大功率耗散 1.6W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.245nF@50V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
配置 -
栅极电荷 36nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.8mm(宽度)
通用封装 PDI-50608
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMNH10H028SPS-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMNH10H028SPS-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMNH10H028SPS-13 DMNH10H028SPS-13数据手册

DMNH10H028SPS-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.6297 ¥ 5.573
7500+ $ 0.6241 ¥ 5.5232
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 2500
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