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ZTX649STOA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: NPN 1W 5V 100nA 35V 25V 2A TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZTX649STOA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 16000
DIODES 三极管(BJT) ZTX649STOA

ZTX649STOA概述

    ZTX649 NPN Silicon Planar Medium Power Transistor

    产品简介


    ZTX649是一款NPN硅平面中功率晶体管,主要应用于电机驱动和直流-直流转换器等领域。该晶体管具有25V的集电极-基极电压(VCEO)、2A的连续工作电流以及低饱和电压的特点,能够提供1W的最大功率消耗。其结构简单且功能稳定,适用于多种电路设计。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):35V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):25V
    - 发射极-基极电压(VEBO):5V
    - 峰值脉冲电流(ICM):6A
    - 连续集电极电流(IC):2A
    - 功率耗散(Tamb=25°C):1W;高于25°C时,每上升1°C降低5.7mW
    - 工作及存储温度范围:-55°C至+200°C
    - 电气特性(Tamb=25°C除非另有说明)
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):35V,IC=100µA
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):25V,IC=10mA
    - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):5V,IE=100µA
    - 集电极截止电流(ICBO):0.1µA,VCB=30V;10µA,VCB=30V,Tamb=100°C
    - 发射极截止电流(IEBO):0.1µA,VEB=4V
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.12V,IC=1A,IB=100mA;0.23V,IC=2A,IB=200mA
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):0.9V,IC=1A,IB=100mA
    - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):0.8V,IC=1A,VCE=2V
    - 静态正向电流转移比(hFE):75-300,IC=50mA,VCE=2V;IC=1A,VCE=2V;IC=2A,VCE=2V;IC=6A,VCE=2V
    - 转换频率(fT):150-240MHz,IC=100mA,VCE=5V
    - 输出电容(Cobo):25-50pF,VCB=10V,f=1MHz
    - 开关时间(ton/off):55ns/300ns,IC=500mA,VCC=10V,IB1=IB2=50mA
    - 热特性
    - 结温至环境温度热阻(Rth(j-amb)1/2):175°C/W/116°C/W
    - 结温至外壳热阻(Rth(j-case)):70°C/W
    - 最大瞬态热阻抗:0.0001°C/W,脉冲宽度(秒)
    - 热阻与温度的关系曲线见附图

    产品特点和优势


    ZTX649具有多种优势,使其在各类电子应用中脱颖而出:
    - 低饱和电压:有助于减少功耗并提高效率。
    - 高静态正向电流转移比:确保稳定的放大效果。
    - 宽泛的工作温度范围:适用于各种恶劣环境。
    - 快速开关速度:适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 电机驱动:ZTX649可以用于控制电动机的转速和方向,实现精确的速度调节。
    - DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,该晶体管能够高效地进行电压变换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热措施到位,避免因过热导致性能下降。
    - 选择合适的驱动电路以减少功耗并提升效率。
    - 注意不要超过最大额定值,以免损坏器件。

    兼容性和支持


    ZTX649与常见的PCB布局兼容,并且与TO92封装标准相匹配。厂商提供了详尽的技术支持,包括安装指南和故障排除文档,帮助用户更好地理解和利用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: ZTX649的温度范围是多少?
    - A: ZTX649的工作及存储温度范围为-55°C至+200°C,适用于广泛的环境条件。
    - Q: 如何判断是否超过了最大额定值?
    - A: 应定期检查工作温度和电流,避免超过最大额定值,确保器件的长期可靠性。
    - Q: 为什么会出现饱和电压问题?
    - A: 可能是由于集电极电流过大导致,适当减小电流可缓解该问题。

    总结和推荐


    ZTX649是一款性能优异的NPN硅平面中功率晶体管,其低饱和电压、高静态正向电流转移比以及宽泛的工作温度范围使其成为电机驱动和直流-直流转换器的理想选择。总体来看,该产品在性能和稳定性方面表现良好,值得在相关应用中推荐使用。

ZTX649STOA参数

参数
最大功率耗散 1W
最大集电极发射极饱和电压 0.5@ 200mA,2A
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 35V
配置 独立式
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极电流 2A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 25V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZTX649STOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX649STOA数据手册

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ZTX649STOA封装设计

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