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ZXTN2010GTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, SOT-223 (SC-73)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流6 A, 最大集电极-发射电压60 V
供应商型号: 30C-ZXTN2010GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTA概述

    # ZXTN2010G:60V NPN中功率低饱和电压晶体管

    产品简介


    ZXTN2010G是一款由Diodes Incorporated生产的60V NPN中功率低饱和电压晶体管。它具备高可靠性及绿色环保的特点,适用于应急照明电路、电机驱动(含直流风扇)、电磁阀、继电器和执行器驱动、直流模块以及背光逆变器等多种应用场景。其采用SOT223封装形式,能够提供稳定的电气性能和卓越的热管理特性。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 150V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 60V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 7V
    - 连续集电极电流 (IC): 6A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 20A
    热特性
    - 功耗 (PD): 3.0 W (典型值)
    - 线性降额系数 (mW/°C): 24 (典型值)
    - 热阻, 结至环境 (RθJA): 42°C/W (典型值)
    电气特性
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 150-190V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 60-80V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 7-8.1V
    - 集电极截止电流 (ICBO): 0.5nA (典型值)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 30-60mV (典型值)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1V (典型值)
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)): 0.94V (典型值)
    - 直流电流增益 (hFE): 105-300 (典型值)
    - 开关时间:
    - 导通时间 (tON): 42ns (典型值)
    - 关断时间 (tOFF): 760ns (典型值)

    产品特点和优势


    ZXTN2010G具有以下显著特点和优势:
    - 高达60V的集电极-发射极电压 (VCEO),适用于多种高压应用。
    - 大于6A的连续集电极电流 (IC),适合需要大电流输出的应用场景。
    - 低饱和电压 (VCE(sat)),在典型条件下仅为30-60mV,提高了效率。
    - 高可靠性,已通过AEC-Q101标准认证。
    - 符合RoHS、无卤素和锑的要求,环保且安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXTN2010G被广泛应用于各种工业和消费电子产品中,如:
    - 应急照明电路:利用其高可靠性和低饱和电压特性,保证在突发情况下仍能正常工作。
    - 电机驱动:包括直流风扇,通过其高电流能力和低损耗特性提升整体性能。
    - 电磁阀、继电器和执行器驱动:提供可靠的开关控制和快速响应能力。
    - 直流模块:适用于需要稳定电流输出的场合。
    - 背光逆变器:在保持高效输出的同时满足低功耗要求。
    使用建议
    为了更好地发挥ZXTN2010G的优势,建议如下:
    - 在使用过程中,应注意散热设计,确保热阻较低,以维持最佳工作状态。
    - 为提高系统的稳定性,建议选择适当的外部电路设计,如添加合适的滤波电容,以减少噪声干扰。
    - 定期进行电路测试和维护,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    ZXTN2010G具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的电路设计中。此外,Diodes Incorporated提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够获得满意的使用体验。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 饱和电压过高的情况
    - 解决方案:检查电路布局是否合理,确认散热措施是否到位,必要时可尝试调整负载条件。
    2. 电流增益不足
    - 解决方案:检查输入信号强度和频率是否合适,确保外部电路设计符合要求。
    3. 导通和关断时间过长
    - 解决方案:重新评估电源条件,适当增加电路中的旁路电容容量,以减少信号延迟。

    总结和推荐


    综上所述,ZXTN2010G是一款性能优越、可靠性高且环保的晶体管产品。其低饱和电压、大电流能力和高可靠性使其成为众多应用场景的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,相信它能够为您的项目带来显著的价值和性能提升。

ZXTN2010GTA参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 7V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 260mV@ 300mA,6A
VCBO-最大集电极基极电压 150V
晶体管类型 NPN
配置 独立式
集电极截止电流 50nA
最大功率耗散 3W
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大集电极发射极饱和电压 260mV@ 300mA,6A
集电极电流 6A
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN2010GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN2010GTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA数据手册

ZXTN2010GTA封装设计

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