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ZXMN3A01E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.1W(Ta) 20V 1V@ 250µA 3.9nC@ 10 V 1个N沟道 30V 120mΩ@ 2.5A,10V 2.4A 190pF@25V SOT-23-6 贴片安装 3.1mm*1.8mm*1.3mm
供应商型号: 30C-ZXMN3A01E6TA SOT26
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA概述

    ZXMN3A01E6:一款高性能30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMN3A01E6 是一款30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强模式N沟道MOS场效应晶体管),专为高效率功率管理应用设计。其基本特性包括低导通电阻(RDS(ON))、低输入电容、快速开关速度以及完全无铅和符合RoHS标准。这款MOSFET适用于多种应用场景,如直流-直流转换器、电源管理功能以及背光照明。

    2. 技术参数


    - 额定电压:30V
    - 连续漏极电流:
    - 在 VGS = 10V时:3.0A(TA = +25°C)
    - 在 VGS = 10V时:2.4A(TA = +70°C)
    - 最大栅源电压:±20V
    - 最大导通电阻:
    - 在 VGS = 10V,ID = 2.5A时:0.12Ω
    - 在 VGS = 4.5V,ID = 2.0A时:0.18Ω
    - 热阻:稳态情况下,RθJA = 113°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:ZXMN3A01E6具有低导通电阻,在不同条件下表现出色。这使得它在功率管理应用中能够提供高效的电流传输。
    - 快速开关速度:这款MOSFET的开关速度快,有助于减少损耗并提高效率。
    - 低输入电容:低输入电容有助于加快响应时间,进一步提升性能。
    - 环保材料:无铅且符合RoHS标准,适合现代绿色生产需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 直流-直流转换器:ZXMN3A01E6广泛应用于各种直流-直流转换器中,特别是在需要高效电流控制的应用场合。
    - 背光照明:可用于背光源控制,保证高亮度的同时,还能有效降低功耗。

    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,请根据电路的具体要求选择合适的栅源电压(VGS)。
    - 使用过程中需注意散热设计,避免过高的温升导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    ZXMN3A01E6采用了SOT26封装,适用于标准的PCB组装流程。Diodes Incorporated提供了详尽的技术文档和在线支持,包括详细的封装图纸和建议的焊盘布局。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 导通电阻(RDS(ON))过高
    - A: 确保电路中的栅源电压(VGS)达到推荐值,例如10V。如果问题依旧,请检查焊接质量和电路连接。

    - Q: 开关速度慢
    - A: 检查电路设计中的寄生电容和电感是否过大,这些因素会影响开关速度。优化电路布局可以改善性能。

    7. 总结和推荐


    ZXMN3A01E6作为一款高性能的N-Channel Enhancement Mode MOSFET,在高效率功率管理和开关速度方面表现优异。其独特的功能和优势使其在多种应用场景中脱颖而出。强烈推荐在高效率应用中采用这款产品,以实现更佳的系统性能和可靠性。

ZXMN3A01E6TA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
最大功率耗散 1.1W(Ta)
Id-连续漏极电流 2.4A
栅极电荷 3.9nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
配置 独立式quaddrain
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 190pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 2.5A,10V
长*宽*高 3.1mm*1.8mm*1.3mm
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3A01E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3A01E6TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TA数据手册

ZXMN3A01E6TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.98
100+ ¥ 1.584
750+ ¥ 1.408
1500+ ¥ 1.331
3000+ ¥ 1.265
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