处理中...

首页  >  产品百科  >  ZTX651

ZTX651

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流2 A, 最大集电极-发射电压60 V
供应商型号: 26M-ZTX651
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX651

ZTX651概述

    NPN硅平面中功率晶体管技术手册

    产品简介


    NPN硅平面中功率晶体管(ZTX650/ZTX651)是一种专为各种中功率应用设计的晶体管。这种晶体管采用硅平面技术制造,具有低饱和电压、高击穿电压和较高的连续电流处理能力。主要应用于开关电源、电机驱动、信号放大等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):ZTX650 60V,ZTX651 80V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):ZTX650 45V,ZTX651 60V
    - 发射极-基极电压(VEBO):5V
    - 峰值脉冲电流(ICM):6A
    - 连续集电极电流(IC):2A
    - 功率耗散(Tamb=25°C时):1W(超过25°C时以每度摄氏度5.7mW的速率递减)
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):ZTX650 60V,ZTX651 80V
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):ZTX650 45V,ZTX651 60V
    - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):55V
    - 集电极截止电流(ICBO):0.1μA(VCB=45V),10μA(VCB=60V)
    - 发射极截止电流(IEBO):0.1μA(VEB=4V)
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.12V(IC=1A,IB=100mA),0.3V(IC=2A,IB=200mA)
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):0.9V(IC=1A,IB=100mA)
    - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):0.8V(IC=1A,VCE=2V)
    - 热特性
    - 结温至环境温度热阻:175°C/W(Rth(j-amb)1),116°C/W(Rth(j-amb)2)
    - 结温至外壳热阻:70°C/W(Rth(j-case))

    产品特点和优势


    - 低饱和电压:确保在高电流条件下能有效减少损耗,提高效率。
    - 高击穿电压:允许在更高的电压环境下稳定工作。
    - 良好的热稳定性:热阻低,有利于散热管理,提高长期可靠性。
    - 宽泛的工作温度范围:-55°C到+200°C,适用于极端环境条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:在大功率开关电源中,这些晶体管可以用于主电路中的开关元件,利用其低饱和电压和高电流能力提高整体效率。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,作为驱动元件,提供足够的电流和稳定的控制性能。
    - 信号放大:作为前级放大器,由于其较高的增益和较小的饱和电压,可以有效地进行信号放大。
    使用建议:
    - 确保合理的散热措施,特别是在高功率应用中,避免因过热导致的损坏。
    - 注意选择合适的外围元件,如合适的电阻和电容,以优化晶体管的性能。
    - 在高频应用中,注意输出电容的影响,确保其值合适,以优化切换速度。

    兼容性和支持


    这些晶体管具有TO92封装,与同类型的其他器件兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确选择外围元件?
    - A:根据具体的应用需求选择合适的电阻和电容,以确保晶体管在最佳状态下工作。
    - Q:过热问题如何处理?
    - A:增加散热片或者使用散热膏,确保良好的散热环境,降低热阻。
    - Q:如何判断是否达到了最大额定值?
    - A:通过测量电压和电流,确保不超过规定的最大值,必要时使用热敏电阻监控温度。

    总结和推荐


    ZTX650/ZTX651是一款性能优异的中功率NPN硅平面晶体管,具有低饱和电压、高击穿电压和良好的热稳定性。在多种中功率应用中表现出色,适合于开关电源、电机驱动和信号放大等场景。总体而言,这款晶体管因其优良的特性和广泛的应用范围,强烈推荐在相关应用中使用。

ZTX651参数

参数
集电极电流 2A
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 200mA,2A
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大功率耗散 1.5W
VEBO-最大发射极基极电压 7V
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 200mA,2A
长*宽*高 4.57mm*2.28mm*3.9mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX651厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX651数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX651 ZTX651数据手册

ZTX651封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.4702
10+ ¥ 2.0225
100+ ¥ 1.8731
500+ ¥ 1.7333
1000+ ¥ 1.6667
库存: 306
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.47
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886