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ZVN4525E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 230 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 30C-ZVN4525E6TA SOT26
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA概述


    产品简介


    ZVN4525E6 是一款高性能的250V N-沟道增强模式MOSFET。 这种器件能够为用户提供高效功率处理能力和高阻抗特性,避免了热失控和热引发的二次击穿。这款MOSFET广泛应用于电信和高压电路领域,例如拨号开关、电子摘挂机开关、高压功率MOSFET驱动器以及电信呼叫路由器等。SOT89 和 SOT223 封装版本也已推出,使得这款产品更加灵活多变,易于集成到不同的设计中。

    技术参数


    ZVN4525E6 的技术规格如下:
    - 最大耐压(V(DSS)): 250V
    - 最大漏源电流(I(D)): 230mA (TA = +25°C)
    - 脉冲漏源电流(I(DM)): 1.44A
    - 静态漏源导通电阻(R(DS(on))):
    - 5.6Ω @ VGS = 10V, ID = 500mA
    - 5.9Ω @ VGS = 4.5V, ID = 360mA
    - 6.4Ω @ VGS = 2.4V, ID = 20mA
    - 输入电容(Ciss): 72pF (VDS = 25V, VGS = 0V)
    - 输出电容(Coss): 11pF (VDS = 25V, VGS = 0V)
    - 反向传输电容(Crss): 3.6pF (VDS = 25V, VGS = 0V)
    - 总栅极电荷(Qg): 2.6nC - 3.65nC (VGS = 10V, VDS = 25V, ID = 360mA)
    - 栅极-源极电荷(Qgs): 0.2nC - 0.28nC (VGS = 10V, VDS = 25V, ID = 360mA)
    - 栅极-漏极电荷(Qgd): 0.5nC - 0.7nC (VGS = 10V, VDS = 25V, ID = 360mA)
    电气特性(TA = +25°C)
    - 断开状态下的漏源击穿电压(BVDSS): 250V - 285V
    - 零栅源漏电流(IDSS): 35μA - 500μA (VDS = 250V, VGS = 0V)
    - 门体漏电流(IGSS): ±1nA - 100nA (VGS = ±40V, VDS = 0V)
    - 输入电容(Ciss): 72pF (VDS = 25V, VGS = 0V)
    - 输出电容(Coss): 11pF (VDS = 25V, VGS = 0V)
    - 反向传输电容(Crss): 3.6pF (VDS = 25V, VGS = 0V)
    - 总栅极电荷(Qg): 2.6nC - 3.65nC (VGS = 10V, VDS = 25V, ID = 360mA)
    工作环境
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 结到环境热阻(RθJA): 113°C/W (Note 4) 或 65°C/W (Note 5)

    产品特点和优势


    ZVN4525E6 具备以下独特功能和优势:
    - 高电压: 最大耐压达到250V。
    - 低导通电阻: 在典型工作条件下(VGS = 10V, ID = 500mA),RDS(on) 最低可达5.6Ω。
    - 快速开关速度: 特殊设计使其具有快速开关特性。
    - 低阈值电压: 便于控制。
    - 低栅极驱动: 需要较少的驱动能量。
    - 环保材料: 完全符合RoHS标准,不含卤素和锑。
    - 完全无铅封装: 符合欧盟相关标准。
    - 兼容互补P通道型ZVP4525E6。

    应用案例和使用建议


    ZVN4525E6 在多个应用场景中表现出色,包括:
    - 电信设备:用于拨号开关和电子摘挂机开关等。
    - 电源管理:作为高压功率MOSFET驱动器使用。
    - 路由系统:适用于电信呼叫路由器。
    - 固态继电器:可用于各种固态继电器。
    使用建议:
    - 应用注意事项:对于高电压应用,需遵守相关行业标准关于电压间隔的规定。
    - 散热设计:考虑到较高的RθJA,需要良好的散热设计以避免过热。
    - 电路布局:采用推荐的PCB布局,以保证最佳性能。

    兼容性和支持


    ZVN4625E6 具有良好的兼容性,与多种电路板和组件可以很好地配合使用。 Diodes Incorporated 提供技术支持和维修服务,确保用户在使用过程中获得帮助。订购时可以选择不同的包装选项(如卷带和编带),并提供详细的订购信息。

    常见问题与解决方案


    以下是几个常见的问题及其解决方案:
    - 问题一:如何正确安装?
    - 解决方案:遵循手册中的推荐布局和焊接指南,确保引脚接触良好,避免虚焊。

    - 问题二:温度过高怎么办?
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,如果散热不佳,则需要加强散热措施,如增加散热片或风扇。

    总结和推荐


    ZVN4525E6 是一款优秀的250V N-沟道增强模式MOSFET, 具备高电压耐受性、低导通电阻和快速开关特性。这些特性使其成为电信、电源管理和路由系统中的理想选择。其环保特性也使其符合现代电子产品的要求。总体而言,我们强烈推荐此款产品给对性能和可靠性有较高要求的应用场景。

ZVN4525E6TA参数

参数
Vgs-栅源极电压 40V
Vds-漏源极击穿电压 250V
最大功率耗散 1.1W(Ta)
Id-连续漏极电流 230mA
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 72pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5Ω@ 500mA,10V
栅极电荷 3.65nC@ 10 V
配置 独立式quaddrain
通道数量 1
3.1mm(Max)
1.8mm(Max)
1.45mm(Max)
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4525E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4525E6TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4525E6TA ZVN4525E6TA数据手册

ZVN4525E6TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.168
100+ ¥ 2.541
750+ ¥ 2.266
1500+ ¥ 2.134
3000+ ¥ 2.035
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