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DMN2011UFDE-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 610mW(Ta) 12V 1V@ 250µA 84nC@ 10 V 1个N沟道 20V 9.5mΩ@ 7A,4.5V 11.7A 3.372nF@10V DFN 贴片安装
供应商型号: 621-DMN2011UFDE-13
供应商: Mouser
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.372nF@10V
栅极电荷 84nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 11.7A
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 7A,4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
最大功率耗散 610mW(Ta)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN2011UFDE-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN2011UFDE-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN2011UFDE-13 DMN2011UFDE-13数据手册

DMN2011UFDE-13封装设计

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