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ZXT1053AKTC

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN低饱和度双极晶体管, DPAK (TO-252)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流5 A, 最大集电极-发射电压75 V
供应商型号: 30C-ZXT1053AKTC TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXT1053AKTC

ZXT1053AKTC概述

    ZXT1053AK 75V NPN 低饱和中功率晶体管

    产品简介


    ZXT1053AK 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 75V NPN 低饱和中功率晶体管,适用于多种高要求的应用场景。该晶体管主要用于直流-直流转换器、电源开关、电机控制、汽车电路及逆变电路等领域。它的特点是高耐压、大电流能力以及低饱和电压,使其成为在高性能应用中不可或缺的选择。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 150V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 75V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 7V
    - 连续集电极电流 (IC): 5A
    - 峰值脉冲集电极电流 (ICM): 10A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 2.1W (1oz铜板,单层FR4电路板)
    - 3.4W (2oz铜板,单层FR4电路板)
    - 4.0W (2oz铜板,50mm x 50mm电路板)

    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 150V - 240V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 75V - 90V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 7V - 8.7V
    - 集电极截止电流 (ICBO): <1nA - 10nA
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):
    - 19mV (IC = 1A, IB = 100mA)
    - 70mV (IC = 1A, IB = 10mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):
    - 1.0V - 1.1V (IC = 5A, IB = 200mA)
    - 转换频率 (fT): 140MHz

    产品特点和优势


    1. 高耐压能力: 高达 75V 的 VCEO 使得该晶体管能够在高电压环境下稳定运行。
    2. 大电流能力: 连续集电极电流可达 5A,峰值脉冲电流可达 10A,适合需要大电流的应用。
    3. 低饱和电压: 饱和电压低至 19mV,使得该晶体管在各种负载条件下都能保持较低的功耗。
    4. 高可靠性: 符合 AEC-Q101 标准,满足汽车电子高可靠性要求。
    5. 绿色环保: 无卤素、锑化合物,符合 RoHS 标准,适合绿色生产。

    应用案例和使用建议


    ZXT1053AK 广泛应用于多种场景,如:
    - 直流-直流转换器: 利用其高耐压能力和大电流能力,可以高效地进行电压转换。
    - 电源开关: 由于其低饱和电压和高电流能力,可以在电源管理中实现高效的开关操作。
    - 电机控制: 在需要高可靠性的电机控制系统中,该晶体管能够提供稳定的控制信号。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免过热。
    - 使用合适的电路板布局和散热设计,确保长期稳定运行。
    - 注意在高电流环境下,需要额外考虑 PCB 的铜层厚度和尺寸以确保良好的散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性: ZXT1053AK 采用 TO252 (DPAK) 封装,易于与其他标准电路板集成。
    - 支持: 供应商提供全面的技术支持和文档,包括机械数据、封装图和建议的焊盘布局。同时提供 PPAP 资质,适合汽车和其他高可靠性应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 晶体管发热严重。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,使用大面积铜板散热,并考虑外部散热片。
    2. 问题: 功率耗散过大。
    - 解决方案: 减少负载电流,增加电路板铜层厚度或增大电路板面积以提高散热效果。
    3. 问题: 工作不稳定。
    - 解决方案: 检查电路板设计,确保正确的焊盘布局和接线。

    总结和推荐


    ZXT1053AK 作为一款高性能的中功率 NPN 晶体管,在多个领域展现了卓越的表现。其高耐压、大电流能力、低饱和电压和绿色环保特性使其在市场上具备强大的竞争力。对于需要高可靠性且对环境友好的应用场景,该产品是一个理想的选择。强烈推荐用于直流-直流转换器、电源开关和汽车电子系统等高要求领域。

ZXT1053AKTC参数

参数
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极电流 5A
最大集电极发射极饱和电压 460mV@ 200mA,5A
最大功率耗散 4W
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 10nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 75V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 460mV@ 200mA,5A
VCBO-最大集电极基极电压 150V
长*宽*高 6.58mm*6.1mm*2.37mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXT1053AKTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXT1053AKTC数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXT1053AKTC ZXT1053AKTC数据手册

ZXT1053AKTC封装设计

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