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ZTX696B

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压180 V
供应商型号: ZTX696B
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
DIODES 三极管(BJT) ZTX696B

ZTX696B概述

    ZTX696B NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor

    产品简介


    ZTX696B 是一款适用于TO92封装的NPN硅平面中功率高增益晶体管。这款晶体管广泛应用于各类电子电路中,特别是在需要高增益和可靠性的场景下。它的典型应用包括达林顿替代品、电池供电电路、电机驱动器及继电器/电磁阀驱动器等。

    技术参数


    以下是ZTX696B的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 180V
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 180V
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): 5V
    - 峰值脉冲电流 \( I{CM} \): 1A
    - 连续集电极电流 \( IC \): 0.5A
    - 实用功率耗散 \( P{totp} \): 1.5W
    - 在25°C环境温度下的功率耗散 \( P{tot} \): 1.5W,超过25°C后每度降额5.7mW/°C
    - 工作和存储温度范围 \( Tj: T{stg} \): -55°C至+200°C
    - 电气特性(25°C)
    - 集电极-基极击穿电压 \( V{(BR)CBO} \): 180V (\( IC = 100\mu A \))
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{(BR)CEO} \): 180V ( \( IC = 10mA \) )
    - 发射极-基极击穿电压 \( V{(BR)EBO} \): 5V ( \( IE = 100\mu A \) )
    - 集电极截止电流 \( I{CBO} \): 0.1μA (\( V{CB} = 145V \) )
    - 发射极截止电流 \( I{EBO} \): 0.1μA (\( V{EB} = 4V \) )
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \):
    - 0.2V ( \( IC = 50mA, IB = 0.5mA \) )
    - 0.25V ( \( IC = 100mA, IB = 2mA \) )
    - 0.25V ( \( IC = 200mA, IB = 5mA \) )
    - 基极-发射极饱和电压 \( V{BE(sat)} \): 0.9V ( \( IC = 200mA, IB = 5mA \) )
    - 基极-发射极导通电压 \( V{BE(on)} \): 0.9V ( \( IC = 200mA, V{CE} = 5V \) )
    - 静态前向电流转移比 \( h{FE} \):
    - 500 ( \( IC = 100mA, V{CE} = 5V \) )
    - 300 ( \( IC = 200mA, V{CE} = 5V \) )
    - 转换频率 \( fT \): 70MHz ( \( IC = 50mA, V{CE} = 5V \) )
    - 输入电容 \( C{ibo} \): 200pF ( \( V{EB} = 0.5V, f = 1MHz \) )
    - 输出电容 \( C{obo} \): 6pF ( \( V{CE} = 10V, f = 1MHz \) )
    - 开关时间
    - 开启时间 \( t{on} \): 80ns ( \( IC = 100mA, IB = 10mA \) )
    - 关闭时间 \( t{off} \): 4400ns ( \( IB = 10mA, V{CC} = 50V \) )
    - 热特性
    - 结温到环境温度的热阻 \( R{th(j-amb)} \): 175°C/W
    - 结温到引脚的热阻 \( R{th(j-case)} \): 70°C/W

    产品特点和优势


    ZTX696B 的显著特点包括:
    - 高增益:在典型工作条件下,静态前向电流转移比 \( h{FE} \) 可高达500。
    - 宽工作电压范围:最高可达180V,确保在多种应用中保持稳定。
    - 低饱和电压:最小饱和电压仅为0.2V,有助于减少能耗。
    - 快速开关特性:快速的开启和关闭时间使得其适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    ZTX696B 的典型应用包括:
    - 达林顿替代品
    - 电池供电设备
    - 电机和继电器驱动
    使用建议:
    - 在选择配套电路时,考虑晶体管的工作条件,确保不超出其绝对最大额定值。
    - 确保良好的散热设计,以防止过热。

    兼容性和支持


    ZTX696B 与同类NPN晶体管具有良好的兼容性。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助用户进行集成和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高温环境下晶体管表现如何?
    - 答:ZTX696B 的工作温度范围为-55°C至+200°C,但需要注意在高温条件下适当降额以避免损坏。
    2. 问:如何确保良好的散热?
    - 答:合理设计PCB布局,增加铜箔面积,必要时添加散热片,确保器件温度不超限。

    总结和推荐


    ZTX696B 是一款高性能、高可靠性的中功率NPN晶体管,适合各种电力电子应用。其高增益和快速开关特性使其成为电机驱动和电池供电设备的理想选择。建议在设计电路时充分考虑其热管理需求,确保最佳性能和可靠性。

ZTX696B参数

参数
集电极截止电流 100nA
集电极电流 500mA
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 180V
最大功率耗散 1W
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,200mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,200mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 180V
VEBO-最大发射极基极电压 5V
配置 独立式
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX696B厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX696B数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX696B ZTX696B数据手册

ZTX696B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.8608
5000+ ¥ 2.6966
8000+ ¥ 2.6497
12000+ ¥ 2.6263
库存: 40000
起订量: 4000 增量: 4000
交货地:
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