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ZXMP6A16DN8TC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.25W 20V 1V@ 250µA (Min) 24.2nC@ 10V 2个P沟道 60V 85mΩ@ 2.9A,10V 2.9A 1.021nF@30V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: ZXMP6A16DN8TC
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP6A16DN8TC

ZXMP6A16DN8TC概述


    产品简介


    ZXMP6A16DN8 是一种双沟道 P 沟道增强型 MOSFET,由 Zetex 公司生产。这种新一代的沟槽 MOSFET 结合了低导通电阻和高速开关的优势,特别适用于高效率、低电压电源管理应用。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): -60V
    - 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID):
    - @VGS=10V, TA=25°C: -3.9A
    - @VGS=10V, TA=70°C: -3.1A
    - @VGS=10V, TA=25°C (单个激活芯片): -2.9A
    - 脉冲漏极电流(IDM): -18.3A
    - 连续源电流(二极管)(IS): -3.2A
    - 脉冲源电流(二极管)(ISM): -18.3A
    - 功率耗散(PD):
    - @TA=25°C (单个激活芯片): 1.25W
    - @TA=25°C (两个激活芯片): 1.81W
    - @TA=25°C (FR4 PCB 上): 2.15W
    - 工作和存储温度范围(Tj:Tstg): -55 至 +150°C
    - 静态漏极-源极击穿电压(V(BR)DSS): -60V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS): -1.0µA
    - 栅极-体泄漏(IGSS): 100nA
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)): -1.0V
    - 静态漏极-源极导通电阻(RDS(on)):
    - @VGS=-10V, ID=-2.9A: 0.085Ω
    - @VGS=-4.5V, ID=-2.4A: 0.125Ω
    - 输出电容(Coss): 83.1pF
    - 反向转移电容(Crss): 56.4pF
    - 门电荷(Qg):
    - @VDS=-30V, VGS=-5V, ID=-2.9A: 12.1nC
    - @VDS=-30V, VGS=-10V, ID=-2.9A: 24.2nC
    - 上升时间(tr): 4.1ns
    - 反向恢复时间(trr): 29.2ns
    - 反向恢复电荷(Qrr): 39.6nC

    产品特点和优势


    ZXMP6A16DN8 的独特功能包括低导通电阻、高速开关速度、低阈值电压、低栅极驱动和低外形 SOIC 封装。这些特点使得它非常适合于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXMP6A16DN8 可以用于直流-直流转换器和电机控制电路中。例如,在一个高效率的直流-直流降压转换器中,ZXMP6A16DN8 可以作为主控开关,确保高效且可靠的电压转换。
    使用建议
    1. 在高电流应用中,考虑到散热问题,建议使用更大的散热片来提高散热效果。
    2. 在设计电路时,确保驱动电压满足器件要求,以避免不必要的导通或关断延迟。
    3. 对于需要频繁开关的应用,应选择具有低反向恢复时间和低反向恢复电荷的产品,以减少损耗。

    兼容性和支持


    ZXMP6A16DN8 支持标准 SOIC 封装,易于与其他电子元器件和设备兼容。厂商提供了详细的文档和支持服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题 1:在高频应用中,为什么出现过热现象?
    解决方案:检查散热措施是否到位,增加散热片或优化散热路径,以降低工作温度。
    问题 2:如何防止栅极过电压损坏?
    解决方案:确保栅极驱动电路设计合理,增加栅极电阻以限制峰值电压,或者使用专用的保护电路。
    问题 3:如何降低反向恢复损耗?
    解决方案:选择具有低反向恢复时间和电荷特性的器件,或者使用软恢复二极管。

    总结和推荐


    ZXMP6A16DN8 作为一种高性能的 P 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻和高速开关特性,非常适合于高效率的电源管理和电机控制应用。它的紧凑封装和优秀的电气性能使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效能、低损耗的系统,强烈推荐使用 ZXMP6A16DN8。

ZXMP6A16DN8TC参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.021nF@30V
配置
最大功率耗散 1.25W
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2.9A
FET类型 2个P沟道
通道数量 2
栅极电荷 24.2nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA (Min)
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 2.9A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP6A16DN8TC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP6A16DN8TC数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP6A16DN8TC ZXMP6A16DN8TC数据手册

ZXMP6A16DN8TC封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 4.3188
5000+ ¥ 4.071
8000+ ¥ 4.0002
12000+ ¥ 3.9648
库存: 25000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 10797
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