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ZXM62N03E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.1W 20V 1V@ 250µA 9.6nC@ 10 V 1个N沟道 30V 110mΩ@ 2.2A,10V 3.2A 380pF@25V SOT-23-6 贴片安装
供应商型号: ZXM62N03E6DKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA概述

    ZXM62N03E6 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXM62N03E6 是由 Zetex 生产的一种新型高密度 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用独特的结构设计,融合了低导通电阻与快速开关速度的优点。这使得它们成为高效率、低电压电源管理应用的理想选择。其基本参数如下:
    - 类型:N-沟道增强模式 MOSFET
    - 主要功能:低导通电阻、快速开关速度
    - 应用领域:DC-DC 转换器、电源管理、断开开关、电机控制

    2. 技术参数


    ZXM62N03E6 的技术参数具体如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |
    | 漏源击穿电压 | 30 V | ID=250µA, VGS=0V |
    | 零门电压漏极电流 | <1 µA | VDS=30V, VGS=0V |
    | 门体泄漏 | 100 nA | VGS=⎛ 20V, VDS=0V |
    | 门源阈值电压 | 1.0 V | ID=250µA, VDS= VGS |
    | 导通电阻 (VGS=10V, ID=2.2A) | 0.11 0.15 | Ω
    | 前向跨导 | 1.1 S | VDS=10V, ID=1.1A |
    | 输入电容 (VDS=25V, VGS=0V) | 380 pF | f=1MHz |
    | 输出电容 (f=1MHz) 90 pF
    | 反向转移电容 | 30 pF
    | 开关时间延迟 (td(on)) | 2.9 ns | VDD=15V, ID=2.2A |
    | 上升时间 (tr) 5.6 ns
    | 关闭时间延迟 (td(off)) | 11.7 ns
    | 下降时间 (tf) 6.4 ns
    | 总门电荷 (Qg) 9.6 nC | VDS=24V, VGS=10V |
    | 门源电荷 (Qgs) 1.7 nC
    | 门漏电荷 (Qgd) 2.8 nC
    | 二极管正向电压 | 0.95 V | Tj=25°C, IS=2.2A |
    | 反向恢复时间 (trr) | 18.8 ns | Tj=25°C, IF=2.2A, di/dt=100A/µs |

    3. 产品特点和优势


    ZXM62N03E6 的独特功能和优势包括:
    - 低导通电阻:提高电路的整体效率。
    - 快速开关速度:降低开关损耗,提高系统的响应速度。
    - 低门驱动:减少门极驱动所需的能量。
    - 小型化封装(SOT23-6):节省电路板空间,适合紧凑设计。
    这些特性使 ZXM62N03E6 在高效率、低电压的电源管理系统中表现出色,适用于多种应用场景,如 DC-DC 转换器、电机控制等。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXM62N03E6 的典型应用包括:
    - DC-DC 转换器:提高转换效率。
    - 电源管理功能:优化系统能耗。
    - 断开开关:实现精准控制。
    - 电机控制:提升电机驱动的稳定性和效率。
    使用建议:
    - 在选择合适的散热措施时,应考虑器件的工作环境和预期电流。
    - 确保门极驱动信号的波形质量,以保证器件正常工作。

    5. 兼容性和支持


    ZXM62N03E6 具有 SOT23-6 封装,与市面上主流的同封装器件具有良好的兼容性。Zetex 提供详尽的技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用这一产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    根据手册中的常见问题,以下是几个常见的用户疑问及其解决方法:
    - 问题:如何正确设置门极驱动电压?
    - 解答:参照电气特性表中的数据,设置门极驱动电压在合适的范围内,例如 VGS=10V。

    - 问题:如何确定器件的工作温度范围?
    - 解答:参考绝对最大额定值中的参数,确保器件工作温度在 -55°C 到 +150°C 之间。

    7. 总结和推荐


    ZXM62N03E6 是一款高性能的 MOSFET,具备低导通电阻和快速开关速度的特点。其广泛的应用场景和优秀的性能表现使其在市场上具有较高的竞争力。鉴于其优良的设计和优异的性能,强烈推荐在高效率电源管理系统中使用 ZXM62N03E6。
    通过本文的详细介绍,相信读者对 ZXM62N03E6 的性能特点有了更加深入的理解,并能够在实际项目中合理选用。

ZXM62N03E6TA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 9.6nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 2.2A,10V
最大功率耗散 1.1W
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 380pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 3.2A
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZXM62N03E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM62N03E6TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM62N03E6TA ZXM62N03E6TA数据手册

ZXM62N03E6TA封装设计

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