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ZXT849KTC

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN低饱和度双极晶体管, DPAK (TO-252)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流7 A, 最大集电极-发射电压80 V
供应商型号: 10B-3943369-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
DIODES 三极管(BJT) ZXT849KTC

ZXT849KTC概述


    产品简介


    ZXT849K 是一款由Diodes Incorporated生产的30V NPN低饱和导通电阻晶体管,采用TO252封装形式。这款晶体管主要用于直流到直流转换器、直流到直流模块、电源开关和电机控制等领域。其独特的性能使其成为高可靠性应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | 80 | 125 | — | V | IC = 100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | 80 | 125 | — | V | IC = 1μA, RBE < 1kΩ |
    | 集电极-发射极击穿电压 (注9) | 30 | 40 | — | V | IC = 10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | 7 | 8 | — | V | IE = 100μA |
    | 集电极截止电流 (集电极-发射极) | — | — | 20 | nA | VCB = 70V |
    | 集电极截止电流 (集电极-发射极) | — | — | 20 | nA | VCE = 70V, RBE < 1kΩ |
    | 发射极截止电流 | — | — | 10 | nA | VEB = 6V |
    | 集电极-发射极饱和电压 (注9) | — | 27 | 40 | mV | IC = 0.5A, IB = 20mA |
    | 基极-发射极饱和电压 (注9) | — | 1.04 | 1.15 | mV | IC = 7A, IB = 350mA |
    | 基极-发射极导通电压 (注9) | — | 0.93 | 1.1 | V | IC = 7A, VCE = 1V |
    | 直流电流增益 (注9) | 100 | 190 | — | — | IC = 10mA, VCE = 1V |
    | 直流电流增益 (注9) | 100 | 200 | 300 | — | IC = 1A, VCE = 1V |
    | 直流电流增益 (注9) | 100 | 165 | — | — | IC = 7A, VCE = 1V |
    | 直流电流增益 (注9) | 40 | 90 | — | — | IC = 20A, VCE = 2V |
    | 电流增益带宽积 | — | 100 | — | MHz | IC = 100mA, VCE = 10V, f = 50MHz |

    产品特点和优势


    ZXT849K的主要特点是低饱和导通电阻(33mΩ)和较高的连续集电极电流(7A),这使其能够高效地处理大功率应用。此外,它符合AEC-Q101标准,具有高可靠性,适用于汽车电路等严苛环境。该产品的独特之处还在于其无铅表面处理,符合RoHS指令要求,同时也是一款无卤素和锑的环保设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXT849K广泛应用于各种场合,如DC-DC转换器、DC-DC模块、电源开关、电机控制等。特别是在汽车电路中,由于其高可靠性,它可以稳定运行并确保系统的安全性和稳定性。
    使用建议
    1. 散热管理:在高功率应用中,必须确保良好的散热,以防止过热导致的损坏。建议采用大面积铜板进行散热。
    2. 安装注意事项:在安装时要确保引脚焊接良好,并且散热片接地,以避免过大的热阻。
    3. 测试验证:在实际应用前,需要通过测试验证产品的可靠性和稳定性,确保其能够满足设计要求。

    兼容性和支持


    ZXT849K与市面上常见的电路板和相关设备具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。Diodes Incorporated提供了详尽的技术支持和售后服务,用户可以通过官方网站获取更多资料和支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 确保良好的散热措施,例如增加铜板面积或使用散热片。 |
    | 引脚焊接不良 | 检查焊接质量,必要时重新焊接。 |
    | 无法达到预期电流 | 检查电路连接,确保电流路径畅通无阻。 |

    总结和推荐


    ZXT849K凭借其低饱和导通电阻、高连续集电极电流和符合AEC-Q101标准的高可靠性,在多种应用中表现出色。对于需要高效率和稳定性的电源管理应用,强烈推荐使用ZXT849K。其优秀的电气特性和广泛的兼容性使得它成为市场上极具竞争力的产品之一。

ZXT849KTC参数

参数
晶体管类型 NPN
集电极电流 7A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 280mV@ 350mA,7A
最大功率耗散 4.2W
最大集电极发射极饱和电压 0.28@ 350mA,7A
配置 独立式
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
集电极截止电流 20nA
VCBO-最大集电极基极电压 80V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.39mm(Max)
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXT849KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXT849KTC数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXT849KTC ZXT849KTC数据手册

ZXT849KTC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 9.6084
50+ ¥ 8.4773
100+ ¥ 7.3461
170+ ¥ 7.0523
5000+ ¥ 5.6561
库存: 2177
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