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ZVN4106FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 200 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZVN4106FTA SOT23
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4106FTA

ZVN4106FTA概述

    # ZVN4106F N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET 技术手册

    产品简介


    ZVN4106F 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N-Channel Enhancement Mode 垂直 DMOSFET(功率场效应晶体管),封装形式为 SOT23。这种类型的晶体管被广泛应用于电源管理、开关模式电源、驱动电机和其他需要高效能切换的应用领域。

    技术参数


    最大额定值
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 漏源电压 | VDSS | — | — | 60 | V
    | 栅源电压 | VGSS | — | — | ±20 | V
    | 连续漏极电流 | ID | — | — | 200 | mA
    | 脉冲漏极电流 | IDM | — | — | 3 | A
    热特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 功耗 | PD | — | — | 350 | mW
    | 结温至环境热阻 | RθJA | — | — | 357 | °C/W
    | 工作和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 | — | 150 | °C
    电气特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |

    | 关断特性 | 漏源击穿电压 | BVDSS | — | — | 60 | V | VGS = 0V, ID = 10mA |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | — | — | 10 | μA | VDS = 60V, VGS = 0V |
    | 栅源漏电 | IGSS | — | — | 100 | nA | VGS = ±20V, VDS = 0V |
    | 开启特性 | 栅阈电压 | VGS(th) | 1.3 | — | 3 | V | VDS = VGS, ID = 1mA |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | — | — | 2.5 | Ω | VGS = 10V, ID = 500mA |
    | 动态特性 | 输入电容 | Ciss | — | — | 35 | pF | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz |
    | 输出电容 | Coss | — | — | 25 | pF
    | 反向转移电容 | Crss | — | — | 8 | pF

    产品特点和优势


    - 高电压耐受性:ZVN4106F 的漏源电压最大可承受 60V,适合在高压环境下工作。
    - 低导通电阻:RDS(on) 最大仅为 2.5Ω,可以在保证低损耗的情况下进行高效的电流控制。
    - 绿色设计:完全符合 RoHS 和无卤素要求,确保环境友好。
    - 可靠性:通过 AEC-Q101 认证,适用于高可靠性要求的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZVN4106F 可用于多种电路中,例如电源转换、电机驱动和 LED 照明。具体的应用案例包括:
    - 在电源管理中作为开关元件,以实现高效率的直流到直流转换。
    - 在驱动电机时提供稳定的电流控制,以减少能耗并延长电机寿命。
    - 在 LED 驱动中用于调节电流,从而延长灯具的使用寿命。
    使用建议
    - 确保电路板设计合理,以提高散热效果,特别是对于高功率应用。
    - 根据负载情况选择合适的电路布局,避免过载导致器件损坏。
    - 在高温环境下工作时,考虑添加适当的散热措施,如加装散热片。

    兼容性和支持


    ZVN4106F 封装形式为 SOT23,可以轻松与其他标准 SOT23 封装的元件进行互换。Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和在线支持,以帮助客户在应用过程中遇到的问题得到及时解决。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. 过热现象
    - 原因:过载或散热不良。
    - 解决方法:改善电路板布局以提高散热效果;考虑使用散热片或其他散热方式。

    2. 漏电问题
    - 原因:栅源电压超过规定值。
    - 解决方法:确保正确连接并遵守规定的电压范围。

    3. 电流控制不稳定
    - 原因:输入电容或输出电容未达到要求。
    - 解决方法:检查并更换电容,确保符合电路需求。

    总结和推荐


    ZVN4106F 是一款高性能的 N-Channel Enhancement Mode 垂直 DMOSFET,具有高电压耐受性、低导通电阻和绿色环保等特点。这些特点使其在多种应用场合中表现出色,特别是在需要高可靠性和环保性能的应用中。综合各方面因素,我们强烈推荐使用这款产品,尤其适用于电源管理和电机驱动等领域。

ZVN4106FTA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5Ω@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 200mA
通道数量 1
最大功率耗散 350mW(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 35pF@25V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4106FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4106FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4106FTA ZVN4106FTA数据手册

ZVN4106FTA封装设计

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1+ ¥ 1.76
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750+ ¥ 1.133
1500+ ¥ 1.0318
3000+ ¥ 0.946
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