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ZTX658STOA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1W 5V 100nA 400V 400V 500mA TO-92-3 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
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标准整包数: 0
DIODES 三极管(BJT) ZTX658STOA

ZTX658STOA概述

    ZTX658 NPN Silicon Planar Medium Power High Voltage Transistor 技术手册解析

    产品简介


    ZTX658 是一款 NPN 硅平面型中功率高压晶体管,适用于各种电子电路的设计与应用。它具有高电压(高达 400V)和较高的连续电流能力(最大 0.5A),能够满足多种电信领域的苛刻要求。产品广泛应用于电话拨号电路及其他需要稳定性能的高电压场景。
    主要功能:
    - 支持高电压操作(VCEO 最大可达 400V)。
    - 提供良好的电流控制能力,适合作为开关或放大器的核心元件。
    应用领域:
    - 电话拨号电路
    - 其他高电压、中功率需求的模拟和数字混合电路

    技术参数


    以下是 ZTX658 的核心技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 | 备注 |
    |
    | 集电极-发射极电压 | - | 400 | - | V | 绝对最大值 |
    | 集电极-基极电压 | - | 400 | - | V | 绝对最大值 |
    | 发射极-基极电压 | - | 5 | - | V | 绝对最大值 |
    | 峰值脉冲电流 | - | - | 1 | A | 绝对最大值 |
    | 连续集电极电流 | - | 500 mA | - | mA | 绝对最大值 |
    | 功率耗散(Ta=25°C) | 1 | - | - | W | derate above 25°C:5.7 mW/°C |
    | 工作温度范围 | -55 | - | 200 | °C | 包括存储温度 |
    | 转换频率 | - | 50 | - | MHz | IC=20mA, VCE=20V |
    | 输出电容 | - | 10 | - | pF | VCB=20V, f=1MHz |
    安全工作区域:
    - ZTX658 的 Safe Operating Area 提供了明确的工作边界,确保在极端条件下设备的安全运行。

    产品特点和优势


    ZTX658 拥有以下显著特点和优势:
    1. 高可靠性设计:具备 400V 的耐压能力和 0.5A 的连续电流能力,在恶劣环境下依然表现优异。
    2. 广泛的适用性:通过优化设计,能够在 -55°C 至 +200°C 的温度范围内正常工作,适合多种工业和消费类电子场景。
    3. 高效能转换:过渡频率高达 50MHz,适合高频电路设计。
    这些特性使得 ZTX658 成为市场上中等功率应用的优选解决方案,尤其在高压环境中展现出明显优势。

    应用案例和使用建议


    ZTX658 可以用于以下典型应用场景:
    1. 电话拨号电路:由于其高压特性和良好的稳定性,非常适合电话拨号器等需要高电压控制的应用场景。
    2. 电源管理电路:在中功率开关电源设计中,ZTX658 的高效率使其成为理想的选择。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意功耗降额处理以防止过热损坏。
    - 设计时应考虑散热措施,如增加铜箔面积以降低热阻 Rth(j-amb)。

    兼容性和支持


    ZTX658 采用 TO-92 封装形式,与标准 TO-92 接口完全兼容,便于替换其他同类器件。此外,制造商提供详细的技术支持和全面的售后保障,帮助用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    以下是可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 问题:设备温度过高导致损坏?
    解决办法:检查系统是否正确进行了功耗降额,必要时增加散热片或改善散热条件。
    2. 问题:输出信号失真?
    解决办法:验证电路设计是否符合 ZTX658 的安全工作区域,调整电路参数以匹配其工作特性。

    总结和推荐


    ZTX658 是一款性能卓越的 NPN 硅平面型中功率高压晶体管,特别适合高电压和中功率场景下的应用。其高可靠性和广泛的适用性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐在需要高压操作的场景中使用此产品。
    总之,ZTX658 以其优良的电气特性和强大的应用灵活性,成为中功率电子设计的理想选择。

ZTX658STOA参数

参数
集电极截止电流 100nA
最大集电极发射极饱和电压 0.25@ 5mA @ 50mA,0.3@ 1mA @ 20mA,0.5@ 10mA @ 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VEBO-最大发射极基极电压 5V
晶体管类型 -
集电极电流 500mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 400V
VCBO-最大集电极基极电压 400V
最大功率耗散 1W
配置 独立式
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

ZTX658STOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX658STOA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX658STOA ZTX658STOA数据手册

ZTX658STOA封装设计

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