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ZTX951STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.2W -6V 50nA -100V 60V 4A TO-92-3 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZTX951STZ
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX951STZ

ZTX951STZ概述

    ZTX951 PNP Silicon Planar Medium Power High Current Transistor

    产品简介


    ZTX951 是一款 PNP 硅平面中功率高电流晶体管,专为需要强大电流处理能力和低饱和电压的应用而设计。它的基本类型是中功率型,主要用于电力传输、电机控制和开关电源等领域。ZTX951 具有高达 15 安培的峰值电流和 4 安培的连续电流,非常适合要求大电流的场合。此外,它具有出色的增益(最高可达 10 安培)和非常低的饱和电压,使其成为一种高效能的功率管理元件。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压 \(V{CBO}\): -100 V
    - 集电极-发射极电压 \(V{CEO}\): -60 V
    - 发射极-基极电压 \(V{EBO}\): -6 V
    - 峰值脉冲电流 \(I{CM}\): -15 A
    - 连续集电极电流 \(IC\): -4 A
    - 实际功耗 \(P{totp}\): 1.58 W
    - 功耗在 \(T{amb}=25°C\) 时 \(P{tot}\): 1.2 W
    - 工作及存储温度范围 \(Tj: T{stg}\): -55°C 到 +200°C
    - 电气特性(在 \(T{amb}=25°C\) 下):
    - 集电极-基极击穿电压 \(V{(BR)CBO}\): -100 V 至 -140 V
    - 集电极-发射极击穿电压 \(V{(BR)CEO}\): -60 V 至 -90 V
    - 集电极-发射极饱和电压 \(V{CE(sat)}\):
    - 在 \(IC=-100mA\), \(IB=-10mA\) 时: -15 mV
    - 在 \(IC=-1A\), \(IB=-100mA\) 时: -60 mV
    - 在 \(IC=-2A\), \(IB=-200mA\) 时: -120 mV
    - 在 \(IC=-4A\), \(IB=-400mA\) 时: -220 mV
    - 基极-发射极饱和电压 \(V{BE(sat)}\): -960 mV 至 -1100 mV
    - 静态前向电流转移比 \(h{FE}\):
    - 在 \(IC=-10mA\), \(V{CE}=-1V\) 时: 100
    - 在 \(IC=-1A\), \(V{CE}=-1V\) 时: 75 至 120
    - 在 \(IC=-4A\), \(V{CE}=-1V\) 时: 25 至 300
    - 在 \(IC=-10A\), \(V{CE}=-1V\) 时: 200
    - 转换频率 \(fT\): 120 MHz
    - 输出电容 \(C{obo}\): 74 pF
    - 开关时间:
    - 接通时间 \(t{on}\): 82 ns
    - 关断时间 \(t{off}\): 350 ns

    产品特点和优势


    - 高电流能力:ZTX951 可以处理高达 15 安培的峰值电流和 4 安培的连续电流,适用于大功率应用。
    - 低饱和电压:非常低的饱和电压有助于减少损耗,提高效率。
    - 出色的增益:在高电流下仍然保持优秀的增益,适合高性能电路设计。
    - 广泛的工作温度范围:-55°C 到 +200°C 的工作温度范围,适用于各种恶劣环境。
    - Spice 模型可用:提供模拟软件模型,方便进行电路仿真和设计验证。

    应用案例和使用建议


    ZTX951 适用于多种电力控制和开关电源应用,例如电动机驱动、逆变器和电源管理模块。建议在选择应用电路时考虑以下几点:
    - 热管理:确保适当的散热措施,因为高电流会导致较大功耗和热量产生。
    - 布局优化:合理的 PCB 布局可以降低杂散电感和寄生电容,提高电路稳定性。
    - 电流匹配:根据具体需求选择合适的电流等级,避免过载和损坏。

    兼容性和支持


    ZTX951 采用 TO92 封装,与多种插件和焊锡工艺兼容。厂商提供了详细的文档和技术支持,帮助用户快速上手并解决应用中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高电流导致过热。
    - 解决方案: 添加散热片或改进 PCB 设计,以提高热导率和散热效率。

    - 问题: 开关时间不稳定。
    - 解决方案: 检查电源电压和负载条件,确保符合规定范围。适当调整驱动电路以优化开关性能。

    总结和推荐


    综上所述,ZTX951 是一款高效且可靠的 PNP 硅平面中功率高电流晶体管,特别适合需要高电流处理能力和低损耗的应用。其广泛的电气特性和可靠的支持使得该产品在电力传输和控制领域表现出色。强烈推荐在需要高功率管理的项目中使用 ZTX951。

ZTX951STZ参数

参数
配置 独立式
集电极电流 4A
集电极截止电流 50nA
最大功率耗散 1.2W
VEBO-最大发射极基极电压 -6V
晶体管类型 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 400mA @ 4A,100mV@ 100mA @ 1A,50mV@ 10mA @ 100mA,160mV@ 200mA @ 2A
VCBO-最大集电极基极电压 -100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装

ZTX951STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX951STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX951STZ ZTX951STZ数据手册

ZTX951STZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.4171 ¥ 3.6917
6000+ $ 0.4134 ¥ 3.6587
库存: 2000
起订量: 2000 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2000
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