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ZXMN2A01E6TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.1 A, SOT-23封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 30C-ZXMN2A01E6TA SOT26
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA概述


    产品简介


    ZXMN2A01E6:20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    产品类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 低导通电阻(低RDS(on))
    - 快速开关速度
    - 低阈值电压
    - 低栅极驱动需求
    - 绿色环保(无铅且完全符合RoHS标准)
    应用领域:
    - DC-DC转换器
    - 电源管理功能
    - 断开开关
    - 电机控制

    技术参数


    电气特性
    - 最大漏源电压(VDSS): 20V
    - 最大栅源电压(VGSS): ±12V
    - 持续漏电流(ID, TA = +25°C): 3.1A
    - 脉冲漏电流(IDM, TA = +25°C): 11A
    - 持续源电流(IS, TA = +25°C): 2.4A
    - 脉冲源电流(ISM, TA = +25°C): 11A
    - 最大结温(TJ): -55 to +150°C
    静态参数
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS): 20V
    - 零栅压漏电流(IDSS): 1 μA
    - 门体泄漏电流(IGSS): 100nA
    - 栅源阈值电压(VGS(TH)): 0.7V
    - 导通状态电阻(RDS(ON), VGS = 4.5V, ID = 4A): 0.120Ω
    - 前向跨导(gfs): 6.1S
    - 二极管正向电压(VSD): 0.9V
    动态参数
    - 输入电容(Ciss): 303pF
    - 输出电容(Coss): 59pF
    - 反向转移电容(Crss): 30pF
    - 总栅极电荷(Qg): 3.0nC
    - 栅源电荷(Qgs): 0.8nC
    - 栅漏电荷(Qgd): 1.0nC
    - 开启延迟时间(tD(ON)): 2.49ns
    - 开启上升时间(tR): 5.21ns
    - 关断延迟时间(tD(OFF)): 7.47ns
    - 关断下降时间(tF): 4.62ns
    - 反向恢复时间(tRR): 23ns

    产品特点和优势


    ZXMN2A01E6具有多种独特的功能和优势:
    - 低导通电阻:低RDS(on)使得器件在开关过程中损耗更低,效率更高。
    - 快速开关速度:适合需要高速切换的应用,如高频电源变换器。
    - 绿色环保:无铅设计,符合RoHS标准,对环境友好。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101认证,适用于高可靠性应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:ZXMN2A01E6可作为高效转换器的关键组件,实现高效能转换。
    - 电源管理:用于各类电源管理模块,提供可靠的电源输出。
    使用建议:
    - 在使用时应注意温度限制,确保在规定的最大结温范围内运行。
    - 考虑到MOSFET的快速开关特性,在布局上尽量缩短引线长度,以减少寄生电感的影响。
    - 为了提高效率,建议选用合适的栅极电阻,避免不必要的能耗。

    兼容性和支持


    ZXMN2A01E6是SOT26封装,便于在多种电路板上安装。厂商提供了全面的支持,包括技术文档、SMD贴装指南等,以确保客户能够顺利应用该器件。

    常见问题与解决方案


    问题1:在高温环境下运行是否会降低器件寿命?
    解答:如果在高温环境下长期运行,会增加器件的热应力,从而影响其寿命。可以通过优化散热设计或降低工作频率来缓解这个问题。
    问题2:如何避免过高的栅极电压损坏器件?
    解答:确保栅极电压不超过±12V的额定范围。可以使用合适的栅极驱动器来保护MOSFET免受过高电压的影响。

    总结和推荐


    综合评估:
    - ZXMN2A01E6是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具备低导通电阻和快速开关速度等显著优势。
    - 广泛应用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等领域,尤其适合需要高效率和高速度的应用场合。
    - 符合绿色生产标准,环保且可靠。
    推荐:
    综上所述,ZXMN2A01E6非常适合那些追求高性能、高效率以及环保特性的应用场合。强烈推荐在各种电源管理和电机控制应用中采用此产品。

ZXMN2A01E6TA参数

参数
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 4A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 独立式quaddrain
栅极电荷 3nC@ 4.5 V
最大功率耗散 1.1W(Ta)
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 303pF@15V
长*宽*高 3.1mm*1.8mm*1.3mm
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN2A01E6TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2A01E6TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TA数据手册

ZXMN2A01E6TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.716
100+ ¥ 1.364
750+ ¥ 1.221
1500+ ¥ 1.155
3000+ ¥ 1.1
库存: 996
起订量: 1 增量: 3000
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最小起订量为:1
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