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ZVN4210A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 450 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: F-ZVN4210A
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4210A

ZVN4210A概述

    ZVN4210A N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    ZVN4210A 是一种 N 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET)。该晶体管主要应用于电源管理、电机控制、LED 驱动等领域。它具有高电压和大电流处理能力,适用于多种高压环境下的应用需求。

    技术参数


    - 额定电压:100V (VDS)
    - 连续漏极电流:450mA (ID) @ 25°C
    - 脉冲漏极电流:6A (IDM)
    - 栅源电压:±20V (VGS)
    - 功率耗散:700mW (Ptot) @ 25°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C (Tj/Tstg)
    电气特性
    - 击穿电压:100V (BVDSS),ID=1mA, VGS=0V
    - 栅源阈值电压:0.8V 至 2.4V (VGS(th)),ID=1mA, VDS=VGS
    - 零栅电压漏极电流:10μA 至 100μA (IDSS),VDS=100V, VGS=0
    - 开启状态漏极电流:2.5A (ID(on)),VDS=25V, VGS=10V
    - 导通电阻:1.5Ω 至 1.8Ω (RDS(on)),VGS=10V, ID=1.5A;VGS=5V, ID=500mA
    - 输入电容:100pF (Ciss),VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz
    - 输出电容:40pF (Coss),VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz
    - 反向传输电容:12pF (Crss),VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz
    - 开关延迟时间:4ns (td(on)),VDD≈25V, ID=1.5A
    - 上升时间:8ns (tr)
    - 关断延迟时间:20ns (td(off)),VDD≈25V, ID=1.5A
    - 下降时间:30ns (tf)

    产品特点和优势


    - 高耐压:ZVN4210A 可以承受高达 100V 的电压,适用于多种高压环境。
    - 低导通电阻:RDS(on) 仅为 1.5Ω 至 1.8Ω,确保了高效的能量转换。
    - 快速开关性能:具备优异的开关特性,包括短的开关延迟时间和上升/下降时间。
    - 宽工作温度范围:可在极端环境下稳定工作,适用于各种恶劣条件的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZVN4210A 可用于电机驱动器、DC-DC 转换器和 LED 驱动电路中。
    - 使用建议:
    - 在设计时要确保 VDS 不超过 100V,避免过压导致损坏。
    - 注意散热问题,特别是在高电流工作条件下。
    - 使用时应注意输入电容和输出电容的影响,合理选择外围元件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN4210A 与 TO92 封装兼容,易于安装和更换。
    - 支持信息:制造商提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够正确使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管发热严重。
    - 解决方案:增加散热片,或者降低工作电流以减少功耗。
    - 问题:漏极电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接,确保所有引脚连接正确无误。
    - 问题:开机时表现异常。
    - 解决方案:检查栅源电压是否在正常范围内。

    总结和推荐


    ZVN4210A 是一款高性能的 N 沟道增强型垂直 DMOS FET,适用于多种高压应用场合。其高耐压、低导通电阻和快速开关性能使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。虽然存在一定的局限性,但总体上非常值得推荐给需要高压、高效能应用的工程师和设计师们。

ZVN4210A参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 450mA
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω@ 1.5A,10V
最大功率耗散 700mW(Ta)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
长*宽*高 4.95mm(长度)*4.95mm(高度)
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVN4210A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4210A数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4210A ZVN4210A数据手册

ZVN4210A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.258 ¥ 2.1857
8000+ $ 0.2557 ¥ 2.1662
12000+ $ 0.2534 ¥ 2.1466
库存: 4000
起订量: 4000 增量: 4000
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最小起订量为:4000
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