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ZTX653

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流2 A, 最大集电极-发射电压100 V
供应商型号: 26M-ZTX653
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX653

ZTX653概述


    产品简介


    NPN硅平面中功率晶体管(NPN Silicon Planar Medium Power Transistors)是适用于多种电子设备的关键组件。这类晶体管主要用于放大电流或电压信号,广泛应用于开关电源、电机驱动、显示器背光控制等领域。本技术手册详细介绍了两种型号:ZTX652和ZTX653,旨在为用户提供详尽的产品参数、性能特点及其应用场景指导。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | ZTX652 | ZTX653 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 | VCBO | 100 | 120 | V |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 80 | 100 | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | 5 | V |
    | 峰值脉冲电流 | ICM | 6 | A |
    | 连续集电极电流 | IC | 2 | A |
    | 功率耗散(Ta=25°C) | Ptot | 1 | W |
    | 功率耗散斜率 | 5.7 | mW/°C |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | ZTX652 | ZTX653 | 单位 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 最小 | 典型 | 最大 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 100 | 120 | V | IC=100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 80 | 100 | V | IC=10mA\ |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | 55 | V | IE=100µA
    | 集电极截止电流 | ICBO | 0.1 | 10 | µA | VCB=80V |
    | 发射极截止电流 | IEBO | 0.1 | 0.1 | µA | VEB=4V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.13 | 0.23 | 0.3 | V | IC=1A, IB=100mA\ |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | 0.9 | 1.25 | V | IC=1A, IB=100mA\ |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | 0.8 | 1 | V | IC=1A, VCE=2V\ |

    产品特点和优势


    - 低饱和电压:NPN硅平面中功率晶体管具有很低的饱和电压,能够有效降低功耗,提升整体系统效率。
    - 高可靠性和稳定性:这些晶体管能够在广泛的温度范围内稳定工作,最高可承受200°C的工作温度。
    - 快速切换速度:得益于较高的过渡频率(140-175 MHz),使得该晶体管在高频应用中表现出色。
    - 兼容新旧设计:ZTX652虽然不再推荐用于新设计,但提供了向ZTX653平稳过渡的路径。

    应用案例和使用建议


    在典型的应用场景中,如开关电源或电机驱动,NPN硅平面中功率晶体管被用来作为功率放大器或开关器件。根据手册提供的测试曲线,建议在设计电路时应注意选择合适的驱动电流,以确保晶体管能够在其安全区域内正常工作。对于热管理,可以通过增加散热片或采用更好的散热材料来提高系统的长期可靠性。

    兼容性和支持


    NPN硅平面中功率晶体管在设计上兼容TO92封装标准,便于集成到现有电路板中。厂商提供详细的文档和技术支持,以帮助用户进行产品选型和使用。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 晶体管过热 | 确保良好的散热措施,避免长时间过载工作。 |
    | 开关速度慢 | 调整驱动电路,保证足够的驱动电流。 |
    | 信号传输失真 | 检查输入信号质量,确认无干扰源。 |

    总结和推荐


    总体而言,NPN硅平面中功率晶体管具备优良的性能和广泛的适用性。尽管ZTX652已不再推荐用于新设计,但其性能仍非常出色。如果需要进一步提升性能或长期可靠性,ZTX653是更佳的选择。对于设计者而言,这款晶体管不仅是一个可靠的功率管理工具,还能显著提升电子设备的效率和稳定性。因此,强烈推荐在各类电力电子应用中使用这一系列晶体管。

ZTX653参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 0.5@ 200mA,2A
集电极电流 2A
VCBO-最大集电极基极电压 120V
最大功率耗散 1W
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极截止电流 100nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 200mA,2A
配置 独立式
长*宽*高 4.57mm*2.28mm*3.9mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX653厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX653数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX653 ZTX653数据手册

ZTX653封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.7487
10+ ¥ 1.6081
100+ ¥ 1.558
500+ ¥ 1.4884
1000+ ¥ 1.4248
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