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ZXM64P035L3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.5W(Ta),20W(Tc) 20V 1V@ 250µA 46nC@ 10 V 1个P沟道 35V 75mΩ@ 2.4A,10V 12A 825pF@25V TO-220-3 通孔安装 16.51mm*10.66mm*4.82mm
供应商型号: ZXM64P035L3-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXM64P035L3

ZXM64P035L3概述


    产品简介


    这款来自Zetex的新一代高密度平面MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)采用了独特的结构设计,将低导通电阻与快速开关速度相结合,使其非常适合用于高效能、低电压的电源管理应用。产品类型为P沟道增强型MOSFET,型号为ZXM64P035L3。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-35V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(VGS=-10V, TC=25°C):-12A
    - 脉冲漏电流(VGS=-10V, TA=25°C):-19A
    - 连续源电流(二极管)(VGS=-10V, TA=25°C):-2.3A
    - 脉冲源电流(二极管)(VGS=-10V, TA=25°C):-19A
    - 功率耗散(TA=25°C):20W
    - 工作和存储温度范围:-55°C到+150°C
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):-35V
    - 零栅压漏电流(IDSS):-1μA
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-1.0V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):0.075Ω
    - 前向跨导(gfs):2.3S
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):825pF
    - 输出电容(Coss):250pF
    - 反向传输电容(Crss):80pF
    - 开关时间(td(on)):4.4ns
    - 上升时间(tr):6.2ns
    - 关断延时时间(td(off)):40ns
    - 下降时间(tf):29.2ns
    - 总栅极电荷(Qg):46nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:ZXM64P035L3的RDS(on)仅为0.075Ω,这有助于提高电路的整体效率,降低功耗。
    2. 快速开关速度:该MOSFET的开关时间非常短,例如,关断延迟时间为40ns,使得它在高频应用中表现出色。
    3. 低阈值电压:较低的阈值电压可以减少栅极驱动的需求,简化电路设计。
    4. 紧凑封装:采用TO220封装,适合多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 100W Class D音频输出级:ZXM64P035L3可以用于功率放大器,实现高效的音频输出。
    - 电机控制:在电机驱动电路中,这款MOSFET可以提供快速而稳定的电流控制,提升系统性能。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较高的功率耗散,需要合理的散热设计,如使用散热片或风扇。
    - 匹配电路元件:确保与MOSFET相匹配的其他电路元件能够承受高频率下的开关过程。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXM64P035L3支持TO220封装,可与标准的DIP插座兼容,易于安装和更换。
    - 支持和服务:Zetex公司提供技术支持和售后服务,可通过其全球代理商和分销商网络获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何计算MOSFET的热阻?
    - 解决方案:通过公式\( \theta{JA} = \frac{\Delta T}{PD} \),其中\(\Delta T\)是最大允许温差,\(PD\)是最大功耗。
    2. 问题:MOSFET在高温下运行会有什么影响?
    - 解决方案:注意工作温度限制,避免超过规定的最高温度范围。如果需要在高温环境下工作,应增加散热措施。

    总结和推荐


    ZXM64P035L3是一款高性能的P沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它在音频输出和电机控制等领域表现优异,适合需要高效、稳定工作的应用场合。综合考虑其性能参数和应用灵活性,强烈推荐在相关领域选用此产品。

ZXM64P035L3参数

参数
最大功率耗散 1.5W(Ta),20W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 2.4A,10V
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 35V
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 46nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 825pF@25V
长*宽*高 16.51mm*10.66mm*4.82mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装

ZXM64P035L3厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXM64P035L3数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXM64P035L3 ZXM64P035L3数据手册

ZXM64P035L3封装设计

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