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ZTX749STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 200mA,2A PNP 1W 5V 100nA 35V 25V 2A TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZTX749STZ
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX749STZ

ZTX749STZ概述

    ZTX749 PNP Silicon Planar Medium Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    ZTX749 是一款 PNP 硅平面中功率晶体管,适用于多种应用场景。它的主要功能包括在低饱和电压下提供大电流传输能力,并具有高可靠性。广泛应用于开关电源、电机驱动、接口电路等领域。

    2. 技术参数


    - 额定值:
    - 集电极-基极电压:VCBO = -35 V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = -25 V
    - 发射极-基极电压:VEBO = -5 V
    - 峰值脉冲电流:ICM = -6 A
    - 持续集电极电流:IC = -2 A
    - 功耗(25°C):Ptot = 5.7 W(在25°C以上以5.7 mW/°C速率递减)
    - 工作和存储温度范围:Tj: -55 至 +200°C
    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = -35 V
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = -25 V
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)EBO = -5 V
    - 集电极截止电流:ICBO = -0.1 µA 至 -10 µA
    - 发射极截止电流:IEBO = -0.1 µA
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = -0.12 V 至 -0.3 V
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) = -0.9 V 至 -1.25 V
    - 基极-发射极开启电压:VBE(on) = -0.8 V 至 -1 V
    - 静态正向电流传输比:hFE = 70 至 300(取决于 IC
    - 频率响应:
    - 转换频率:fT = 100 MHz 至 160 MHz(IC = -100mA, VCE = -5V, f = 100MHz)
    - 热特性:
    - 热阻(结到环境1):Rth(j-amb)1 = 175 °C/W
    - 热阻(结到环境2):Rth(j-amb)2 = 116 °C/W
    - 热阻(结到外壳):Rth(j-case) = 70 °C/W

    3. 产品特点和优势


    ZTX749 的显著特点是其高电流传输能力和低饱和电压。它能够稳定运行在高达25V的集电极-发射极电压下,具备良好的热稳定性和可靠性。此外,其宽广的工作温度范围使得它可以在极端环境下正常工作。在多个应用场景中,ZTX749 展现出优异的性能表现,具有较强的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:ZTX749 广泛应用于开关电源和电机驱动系统。在这些应用中,它可以有效地控制大电流,并保持较低的饱和电压,从而提高系统的效率和稳定性。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,在使用过程中需要合理设计散热系统,避免过热。同时,选择合适的外围元件,如电阻、电容等,以确保电气特性的一致性。对于高频应用,注意 PCB 布局的合理性,以减少寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    ZTX749 采用 TO92 封装,与市场上多数 TO92 封装的晶体管兼容。厂商提供详细的使用说明和技术支持文档,有助于用户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管过热。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计。

    - 问题:饱和电压过高。
    - 解决方案:检查外围电路设计,特别是基极电阻的选择,确保合适的基极电流。

    - 问题:转换频率不足。
    - 解决方案:检查供电电压是否足够,尝试优化 PCB 布局以减少寄生效应。

    7. 总结和推荐


    总体而言,ZTX749 是一款性能卓越的 PNP 硅平面中功率晶体管,适用于多种工业应用。其低饱和电压、高电流传输能力和宽广的工作温度范围使其在市场上具备较强的竞争优势。推荐在需要高效、可靠的大电流控制应用中使用该产品。

ZTX749STZ参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 35V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 200mA,2A
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
集电极电流 2A
VCEO-集电极-发射极最大电压 25V
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大功率耗散 1W
配置 独立式
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 200mA,2A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 盒装,散装

ZTX749STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX749STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX749STZ ZTX749STZ数据手册

ZTX749STZ封装设计

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6000+ $ 0.3002 ¥ 2.6564
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