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ZXMN6A08GQTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 1V@ 250µA 5.8nC@ 10 V 1个N沟道 60V 80mΩ@ 4.8A,10V 3.8A 459pF@40V SOT-223-3 贴片安装
供应商型号: ZXMN6A08GQTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A08GQTA

ZXMN6A08GQTA概述

    ZXMN6A08GQ 60V SOT223 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    ZXMN6A08GQ 是一款专为满足汽车应用严格要求设计的60V N沟道增强模式MOSFET。它符合AEC-Q101标准,并支持PPAP(生产件批准程序),适用于BLDC电机、DC-DC转换器和负载开关等应用。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 最大耐压 (BVDSS):60V
    - 最大连续漏极电流 (ID):
    - TA = +25°C:5.3A (VGS = 10V), 2.8A (VGS = 4.5V)
    - TA = +70°C:4.2A (VGS = 10V), 2.1A (VGS = 4.5V)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):20A
    - 最大连续源电流 (IS):2.1A
    - 最大脉冲源电流 (ISM):20A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TA = +25°C:2W (RθJA = 62.5°C/W), 3.9W (RθJA = 32°C/W)
    - TA = +70°C:3.1W (RθJA = 32°C/W)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V:0.08Ω (ID = 4.8A)
    - VGS = 4.5V:0.15Ω (ID = 4.2A)
    - 输入电容 (Ciss):459pF (VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss):44.2pF (VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 反向转移电容 (Crss):24.1pF (VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1MHz)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):这有助于减少功耗,提高效率。
    - 快速开关速度:适用于高频电路应用。
    - 低阈值电压:简化了驱动电路设计。
    - 低栅极驱动:降低了功耗,提升了整体效率。
    - 完全无铅,完全符合RoHS标准:环保且安全。
    - 符合AEC-Q101标准:适合高可靠性应用。
    - PPAP能力:适用于汽车制造行业。

    应用案例和使用建议


    - BLDC电机:用于驱动电机时,可以显著提升系统的效率和响应速度。
    - DC-DC转换器:在高频电源转换应用中,可以有效降低损耗,提高转换效率。
    - 负载开关:在电源管理应用中,可以提供可靠的电流控制和保护。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高温环境下使用时。
    - 使用适当的栅极驱动电路以确保快速开关。
    - 考虑到MOSFET的工作条件和环境温度,合理选择散热片和散热方式。

    兼容性和支持


    ZXMN6A08GQ采用SOT223封装,与大多数电路板和模块兼容。制造商提供了详细的包装信息和技术支持文档,方便客户进行产品选型和集成。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下运行时,MOSFET的温度上升过高。
    - 解决方法:使用更大尺寸的散热片或增加散热风扇,确保良好的热管理。
    - 问题:电路启动时,MOSFET发热严重。
    - 解决方法:检查驱动电路,确保栅极驱动信号稳定,并优化驱动电阻以减小开关损耗。

    总结和推荐


    ZXMN6A08GQ是一款性能优异、适用于多种应用的N沟道MOSFET。它的低导通电阻、快速开关速度和高可靠性使其成为许多高要求场合的理想选择。建议在需要高效能和高可靠性的应用中选用此产品。对于寻求高性能电子元件的设计工程师来说,ZXMN6A08GQ是一个值得考虑的选择。

ZXMN6A08GQTA参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 459pF@40V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 4.8A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 5.8nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 3.8A
配置 独立式
最大功率耗散 2W(Ta)
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A08GQTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A08GQTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A08GQTA ZXMN6A08GQTA数据手册

ZXMN6A08GQTA封装设计

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