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ZXMN10A08GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta) 20V 2V@ 250µA 7.7nC@ 10 V 1个N沟道 100V 250mΩ@ 3.2A,10V 2A 405pF@50V SOT-223-3 贴片安装 6.5mm*3.5mm*1.65mm
供应商型号: 30C-ZXMN10A08GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA概述

    # ZXMN10A08G N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN10A08G 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 100V SOT223 封装的 N-通道增强模式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 特别适用于高效率电源管理和转换应用。它的低导通电阻、快速开关速度以及低阈值电压使其在各种电力电子设备中表现出色。

    技术参数


    主要参数
    - 最大漏源电压 \(V{(BR)DSS}\): 100V
    - 最大栅源电压 \(V{GSS}\): ±20V
    - 连续漏电流 \(ID\)(\(V{GS}=10V\), \(TA = +25°C\)): 2.9A
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\)(\(V{GS}=10V\), \(ID=3.2A\)): 0.25Ω
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\)(\(V{GS}=6V\), \(ID=2.6A\)): 0.30Ω
    - 输入电容 \(C{iss}\): 405pF(\(V{DS}=50V\), \(V{GS}=0V\), \(f=1.0MHz\))
    - 输出电容 \(C{oss}\): 28.2pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 14.2pF
    - 门电荷 \(Qg\): 7.7nC(\(V{DS}=50V\), \(V{GS}=10V\), \(ID=1.2A\))
    工作环境
    - 最大功率耗散 \(PD\)(\(TA = +25°C\)): 2.0W
    - 热阻 \(R{θJA}\)(\(TA = +25°C\)): 62.5°C/W
    - 存储和操作温度范围 \(T{J, TSTG}\): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    ZXMN10A08G 具备以下特点和优势:
    - 低导通电阻: 在不同工作条件下保持较低的导通电阻,使得功率损耗最小化。
    - 快速开关速度: 快速的开关性能有助于提高电路的整体效率。
    - 低阈值电压: 降低了控制电路的复杂性和功耗。
    - 无铅和符合 RoHS 标准: 环保材料和制造工艺,确保产品的安全性和环保性。
    - 抗卤素和锑: 满足严格的绿色产品标准,适用于对环保要求较高的应用。
    - 符合 AEC-Q101 标准: 高可靠性标准,适用于汽车和其他高可靠性应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZXMN10A08G 广泛应用于以下领域:
    - DC-DC 转换器: 利用其快速开关性能,减少能量损失,提高转换效率。
    - 电源管理功能: 适合用于电池充电器、直流电源和稳压电源等。
    - 断开开关: 用于控制电路中的开关操作,保证电路的安全性。
    - 电机控制: 用于驱动直流电机或步进电机,提供高效的电源供应。
    使用建议
    为了更好地利用 ZXMN10A08G 的优势,建议:
    - 合理选择散热措施: 由于其较高的热阻,需要良好的散热设计以防止过热。
    - 关注最大功率耗散: 根据应用需求选择适当的散热方式,避免超过最大功率耗散限制。
    - 检查并优化布线布局: 避免不必要的寄生电感和电容,减少信号干扰。

    兼容性和支持


    - 封装和引脚配置: SOT223 封装,标准引脚排列。
    - 制造商支持: Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利应用该产品。
    - 兼容其他器件: 支持与其他相同封装的 MOSFET 器件互换使用,简化系统设计。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题: 在高温环境下工作,可能导致 MOSFET 损坏。
    2. 开关频率过高导致的效率下降: 高频开关可能导致更多的能量损失。
    解决方案
    1. 加强散热: 使用适当的散热片或其他散热措施,确保 MOSFET 在安全温度范围内工作。
    2. 优化开关频率: 根据应用需求调整开关频率,以减少能量损失。

    总结和推荐


    ZXMN10A08G MOSFET 是一款高性能、高效能的电力电子元件,特别适用于高效率电源管理和转换应用。其低导通电阻、快速开关速度和低阈值电压使其在多种电力电子设备中表现优异。此外,其环保特性、高可靠性和符合标准的特点也增加了其市场竞争力。
    总体而言,ZXMN10A08G MOSFET 非常值得推荐给那些寻求高效、可靠且环保解决方案的设计工程师。

ZXMN10A08GTA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式双drain
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2W(Ta)
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 3.2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 405pF@50V
栅极电荷 7.7nC@ 10 V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN10A08GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN10A08GTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN10A08GTA ZXMN10A08GTA数据手册

ZXMN10A08GTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 1.65
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