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ZVP4424ASTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 750mW(Ta) 40V 2V@1mA 1个P沟道 240V 9Ω@ 200mA,10V 200mA 200pF@25V TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZVP4424ASTZ
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP4424ASTZ

ZVP4424ASTZ概述

    ZVP4424A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    ZVP4424A 是一款 P 沟道增强模式垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical DMOS FET)。该器件具备高电压能力和低导通电阻,适用于电子开关等多种应用场合。通过其高效能和可靠性,ZVP4424A 在多种电子设备中发挥着重要作用。

    技术参数


    以下是 ZVP4424A 的关键技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:\( V{DS} \leq -240 \text{ V} \)
    - 持续漏电流:\( ID \leq -200 \text{ mA} \)
    - 脉冲漏电流:\( I{DM} \leq -1 \text{ A} \)
    - 栅源电压:\( V{GS} \leq \pm 40 \text{ V} \)
    - 功率耗散:\( P{tot} \leq 750 \text{ mW} \)
    - 工作及存储温度范围:\( Tj : T{stg} \leq -55 \text{ to } +150 \text{ °C} \)
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:\( B{V{DSS}} \leq -240 \text{ V} \)
    - 栅源阈值电压:\( V{GS(th)} \leq -0.7 \text{ to } -2.0 \text{ V} \)
    - 栅体泄漏:\( I{GSS} \leq 100 \text{ nA} \)
    - 零栅源电压时漏电流:\( I{DSS} \leq -10 \text{ µA} \)
    - 导通漏电流:\( I{D(on)} \leq -0.75 \text{ A} \)
    - 开态漏源导通电阻:\( R{DS(on)} \leq 9 \text{ Ω} \)
    - 增益:\( g{fs} \leq 125 \text{ mS} \)
    - 输入电容:\( C{iss} \leq 100 \text{ pF} \)
    - 输出电容:\( C{oss} \leq 25 \text{ pF} \)
    - 反向传输电容:\( C{rss} \leq 15 \text{ pF} \)

    产品特点和优势


    ZVP4424A 具备以下显著特点和优势:
    - 高电压耐受能力:可承受高达 240V 的漏源电压,适合高电压应用场景。
    - 低导通电阻:低至 9Ω 的导通电阻,提供高效的电流传输能力。
    - 高增益:125mS 的增益确保快速响应。
    - 宽工作温度范围:适用于极端温度条件,满足不同环境需求。

    应用案例和使用建议


    ZVP4424A 广泛应用于多种电子设备,特别是在电子开关、继电器和驱动电路等领域。根据技术手册提供的数据,该器件在典型的应用中表现良好,如图所示。在使用过程中,建议遵循以下几点:
    - 电源设计:确保电源设计能够支持高达 240V 的电压。
    - 散热管理:由于高功率耗散,注意适当的散热措施以保持温度稳定。
    - 驱动电路:使用合适的驱动电路以优化性能并避免过压损坏。

    兼容性和支持


    ZVP4424A 与标准 TO92 封装兼容,便于集成到现有系统中。制造商提供详细的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中得到充分支持。

    常见问题与解决方案


    根据手册提供的信息,常见的问题及其解决方法如下:
    - 问题 1: 过高的漏电流导致器件失效。
    - 解决方法: 检查电路设计,确保没有短路或过载情况发生。
    - 问题 2: 噪声干扰影响正常工作。
    - 解决方法: 使用屏蔽电缆或隔离电路来减少噪声干扰。
    - 问题 3: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方法: 改进散热设计,增加散热片或其他散热措施。

    总结和推荐


    ZVP4424A 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道增强模式垂直 DMOS FET。其优异的电压耐受能力、低导通电阻和宽工作温度范围使其成为电子开关和其他高压应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能 P 沟道 MOSFET 的设计师和工程师。

ZVP4424ASTZ参数

参数
Vgs-栅源极电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 9Ω@ 200mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 200pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
配置 独立式
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 240V
Id-连续漏极电流 200mA
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 750mW(Ta)
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,卷带包装

ZVP4424ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP4424ASTZ数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP4424ASTZ ZVP4424ASTZ数据手册

ZVP4424ASTZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.4869 ¥ 4.3087
6000+ $ 0.4825 ¥ 4.2702
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