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ZXMN3A03E6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.7W 20V 6.9nC@ 5V,12.6nC@ 10V 30V 50mΩ@ 10V 600pF@ 25V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 9525742
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3A03E6

ZXMN3A03E6概述

    电子元器件产品技术手册



    产品简介



    ZXMN3A03E6 是一款来自 Zetex 的新一代 TRENCH MOSFET。它采用了独特的结构设计,结合了低导通电阻和高速开关速度的特点,适用于高效率、低电压的电源管理应用。主要功能包括高效能电源转换和快速响应。


    技术参数



    - 绝对最大额定值
    - 漏源击穿电压:\( V_{(BR)DSS} \leq 30 \text{V} \)
    - 栅源电压:\( V_{GS} \leq 20 \text{V} \)
    - 连续漏极电流:\( I_D \leq 4.6 \text{A} \)(在 \( T_A = 25^\circ \text{C} \) 和 \( V_{GS} = 10 \text{V} \) 下)
    - 脉冲漏极电流:\( I_{DM} \leq 17 \text{A} \)
    - 持续源极电流(体二极管):\( I_S \leq 2.6 \text{A} \)
    - 脉冲源极电流(体二极管):\( I_{SM} \leq 17 \text{A} \)
    - 热阻抗:\( R_{\theta JA} = 113^\circ \text{C}/\text{W} \)(对于 \( 25 \text{mm} \times 25 \text{mm} \) FR4 PCB,表面安装在单面铜箔上)
    - 工作温度范围:\( T_j : T_{stg} \leq -55 \text{ to } +150 ^\circ \text{C} \)

    - 电气特性
    - 静态漏源击穿电压:\( V_{(BR)DSS} = 30 \text{V} \)
    - 栅漏电容:\( C_{iss} = 600 \text{pF} \)
    - 输出电容:\( C_{oss} = 104 \text{pF} \)
    - 反向传输电容:\( C_{rss} = 58.5 \text{pF} \)
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间:\( t_d(on) = 2.9 \text{ns} \)
    - 上升时间:\( t_r = 6.4 \text{ns} \)
    - 关闭延迟时间:\( t_d(off) = 16.0 \text{ns} \)
    - 下降时间:\( t_f = 11.2 \text{ns} \)
    - 栅电荷:\( Q_g = 6.9 \text{nC} \)
    - 总栅电荷:\( Q_g = 12.6 \text{nC} \)
    - 栅源电荷:\( Q_{gs} = 2.0 \text{nC} \)
    - 栅漏电荷:\( Q_{gd} = 2.0 \text{nC} \)


    产品特点和优势



    - 低导通电阻:确保高效的能量转换。
    - 高速开关速度:适用于高频和高速切换应用。
    - 低门限电压:简化驱动电路设计。
    - 低门驱动:降低功耗和发热。
    - SOT23-6 封装:紧凑的封装便于集成。


    应用案例和使用建议



    - DC-DC 转换器:可以显著提高转换效率。
    - 电源管理功能:适用于各种电源管理场景。
    - 断开开关:用于电路保护和控制。
    - 电机控制:实现精确的速度和扭矩控制。

    使用建议:
    - 在选择合适的 PCB 布局时,考虑热管理以优化散热效果。
    - 在高频应用中,注意减少寄生电感和电容的影响。


    兼容性和支持



    - 兼容性:适用于标准 SOT23-6 封装。
    - 支持:制造商提供技术支持和维护服务。


    常见问题与解决方案



    - Q: 漏极电流不足?
    - A: 检查电路连接是否正确,确保门极电压足够高。
    - Q: 发热过高?
    - A: 检查散热措施是否到位,确保 PCB 设计合理。
    - Q: 开关速度慢?
    - A: 检查门极电阻是否合适,必要时更换更合适的门极电阻。


    总结和推荐



    ZXMN3A03E6 是一款高性能的 MOSFET,具有低导通电阻和高速开关速度,适用于多种电源管理和电机控制应用。其优秀的电气特性和紧凑的封装使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高效率、低电压电源转换的应用场合。

ZXMN3A03E6参数

参数
栅极电荷 6.9nC@ 5V,12.6nC@ 10V
配置 -
最大功率耗散 1.7W
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 600pF@ 25V
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装

ZXMN3A03E6厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3A03E6数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3A03E6 ZXMN3A03E6数据手册

ZXMN3A03E6封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.3948
10+ ¥ 3.3294
100+ ¥ 2.9831
500+ ¥ 2.9299
1000+ ¥ 2.8766
5000+ ¥ 2.8766
库存: 2615
起订量: 16 增量: 0
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