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ZXTP2039FTC

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 600mV@ 100mA,1A PNP 350mW 5V 100nA 80V 60V 1A SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1mm
供应商型号: AV-S-DIIZXTP2039FTC
供应商: Avnet
标准整包数: 10000
DIODES 三极管(BJT) ZXTP2039FTC

ZXTP2039FTC概述

    ZXTP2039F PNP Silicon Planar Medium Power Transistor

    1. 产品简介


    ZXTP2039F 是一种采用 SOT23 封装的高电压 PNP 硅平面中功率晶体管,由 Zetex Semiconductors 公司生产。这款晶体管特别适用于需要高增益、大电流操作和低饱和电压的应用,如 MOSFET 门驱动和低损耗功率开关。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO):-80 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEV):-80 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO):-60 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO):-5.0 V
    - 峰值脉冲电流 (ICM):-2 A
    - 持续集电极电流 (IC):-1 A
    - 最大功耗 (@TA=25°C):350 mW
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO):-80 V (IC=-100μA)
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEV):-80 V (IC=-1 A)
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO):-60 V (IC=-10mA, 脉冲条件)
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO):-5 V (IE=-100μA)
    - 集电极-发射极截止电流 (ICES):-100 nA (VCE=-60V)
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO):-100 nA (VCB=-60V)
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO):-100 nA (VEB=-4V)
    - 静态正向电流传输比 (hFE):100 (IC=-1mA, VCE=-5V)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)):-0.2 V (IC=-100mA, IB=-2mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)):-1.2 V (IC=-1A, IB=-100mA)
    - 基极-发射极开启电压 (VBE(on)):-1.0 V (IC=-1A, VCE=-5V)
    - 转换频率 (fT):150 MHz (IC=-50mA, VCE=-10V)

    3. 产品特点和优势


    ZXTP2039F 的主要特点是低饱和电压,这有助于减少功率损耗。此外,它具有 1 到 2 安培的大电流能力,并且是无铅产品。这些特性使其在电源管理和功率转换应用中表现出色,尤其是在 MOSFET 门驱动和低损耗功率开关中。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXTP2039F 适用于多种应用场景,包括 MOSFET 门驱动和低损耗功率开关。为了确保最佳性能,建议用户在其电路设计中考虑以下几点:
    - 使用适当的散热措施以避免过热。
    - 确保正确的布线和连接,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 结合其他无源组件(如电容和电阻)进行滤波和保护。

    5. 兼容性和支持


    ZXTP2039F 可以与市场上常见的 PCB 板和焊接工艺兼容。制造商提供了一系列支持服务,包括产品规格书、SPICE 参数数据和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的功耗导致晶体管过热。
    - 解决办法: 采用散热片或热管来提高散热效率。

    - 问题: 集电极-发射极饱和电压过高。
    - 解决办法: 确保使用正确的基极电流,参考电气特性表中的建议值。

    7. 总结和推荐


    ZXTP2039F 是一款高性能的 PNP 晶体管,具有低饱和电压、高电流能力和无铅特性。它非常适合用于 MOSFET 门驱动和低损耗功率开关应用。考虑到其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在相关设计中使用此产品。

ZXTP2039FTC参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 5V
配置 独立式
最大功率耗散 350mW
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 80V
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 600mV@ 100mA,1A
最大集电极发射极饱和电压 600mV@ 100mA,1A
集电极电流 1A
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTP2039FTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTP2039FTC数据手册

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ZXTP2039FTC封装设计

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