处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.56W(Ta) 12V 700mV@ 250µA (Min) 18.9nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 20mΩ@ 11A,4.5V 8.3A 1.9nF@10V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: 31-ZXMN2A02N8TADKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA概述

    电子元器件技术手册:ZXMN2A02N8

    产品简介


    ZXMN2A02N8是一款由Zetex制造的新型沟槽型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Trench MOSFET)。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点,特别适用于高效率、低电压电源管理应用。此外,它还具有低门限电压、低栅极驱动、紧凑的SOIC封装等优点。

    技术参数


    以下是ZXMN2A02N8的主要技术参数和性能指标:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 20V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.02Ω
    - 连续漏极电流 (ID): 10.2A (VGS=10V, TA=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 50A
    - 最大耗散功率 (PD):
    - 1.56W (TA=25°C)
    - 2.5W (TA=25°C)
    - 最大工作和存储温度范围 (Tj:Tstg): -55°C 到 150°C
    - 输入电容 (Ciss): 1900pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 356pF
    - 反向传输电容 (Crss): 218pF
    - 开关时间参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 7.9ns
    - 上升时间 (tr): 10ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 33.3ns
    - 下降时间 (tf): 13.6ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 18.9nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 5.2nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 4.9nC

    产品特点和优势


    ZXMN2A02N8的主要优势包括:
    - 低导通电阻:使得电路在导通状态下的功耗极低,提高了整体效率。
    - 快速开关速度:适合高频工作场合,降低了开关损耗。
    - 低阈值电压和低栅极驱动:便于驱动,减少了对控制电路的要求。
    - 低外形SOIC封装:适用于空间受限的应用场景。
    这些特点使其在电源管理和电机控制等领域中表现出色,尤其是在需要高效率、低损耗的系统中,有着广泛的应用前景。

    应用案例和使用建议


    ZXMN2A02N8可以应用于多种电路中,如断路开关、电机控制等。具体建议如下:
    - 在电源管理中,该器件可以用作低功耗直流-直流转换器中的开关器件。
    - 在电机控制系统中,可以作为电机驱动的开关器件,确保系统的高效运行。
    - 由于其快速开关能力,适用于需要频繁切换的应用,例如太阳能逆变器或便携式电源设备。

    兼容性和支持


    ZXMN2A02N8的低外形SOIC封装设计使得它易于与其他标准电子元器件集成。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括样品测试、定制服务等。如果您有任何技术问题或需求,可以通过官方渠道联系Zetex的销售和技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及解决方案:
    - 问题1:如何确定正确的安装温度?
    - 解决方案:根据手册中的“绝对最大额定值”部分,确保工作温度在-55°C到150°C范围内。使用散热片和适当的PCB设计可以帮助控制温度。
    - 问题2:如何处理栅极驱动问题?
    - 解决方案:正确设置栅极驱动电压,确保其在安全范围内。如果驱动不稳定,可以考虑使用外部栅极电阻来限制驱动电流。
    - 问题3:在高频应用中,如何降低EMI干扰?
    - 解决方案:采用屏蔽措施或添加滤波电容以减少噪声。选择合适的电容值和布局方式以减小寄生电感的影响。

    总结和推荐


    ZXMN2A02N8是一款高性能的MOSFET,以其低导通电阻、快速开关速度、紧凑封装等特点脱颖而出。对于需要高效、可靠电源管理的场合,这款器件是一个理想的选择。尽管价格略高于普通MOSFET,但其出色的性能和广泛的应用范围使其物有所值。因此,我们强烈推荐在高效率和可靠性至关重要的应用中使用ZXMN2A02N8。

ZXMN2A02N8TA参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.9nF@10V
配置 独立式quaddraintriplesource
最大功率耗散 1.56W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)
栅极电荷 18.9nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 8.3A
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 11A,4.5V
通道数量 1
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN2A02N8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN2A02N8TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN2A02N8TA ZXMN2A02N8TA数据手册

ZXMN2A02N8TA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.323 ¥ 19.6294
10+ $ 1.3426 ¥ 11.2362
100+ $ 0.9439 ¥ 7.9761
库存: 121
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 19.62
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336