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ZTX692B

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 10mA,1A NPN 1W 5V 100nA 70V 70V 1A EP-3SC 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 3943328
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX692B

ZTX692B概述

    ZTX692B NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor

    1. 产品简介


    ZTX692B 是一款NPN硅平面中功率高增益晶体管,适用于多种电路应用。该晶体管具有较高的击穿电压(VCEO = 70V)和低饱和电压,使其成为驱动继电器、电机和其他电源管理应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是ZTX692B的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极击穿电压 | 70 V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | 70 V |
    | 发射极-基极击穿电压 | 5 V |
    | 集电极截止电流 | 0.1 μA |
    | 发射极截止电流 | 0.1 μA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | 0.15 | 0.5 V |
    | 基极-发射极饱和电压 | 0.9 V |
    | 基极-发射极导通电压 | 0.9 V |
    | 静态正向电流转移比 | 150 | 400 | 700 | (无单位) |
    | 过渡频率 | 150 MHz |
    | 输入电容 | 200 pF |
    | 输出电容 | 12 pF |
    | 开关时间 (ton) | 46 ns |
    | 开关时间 (toff) | 1440 ns |
    | 最大功率耗散 | 1.5 | 5.7 W |
    绝对最大额定值:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 集电极-基极电压 | VCBO | 70 | V |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 70 | V |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | 5 | V |
    | 峰值脉冲电流 | ICM | 2 | A |
    | 持续集电极电流 | IC | 1 | A |
    | 实用功率耗散 | Ptotp| 1.5| W |
    | 功耗 (Tamb=25°C) | Ptot | 1 | W |

    3. 产品特点和优势


    - 高增益: 高达700的静态正向电流转移比(hFE),使得它非常适合用于需要高增益的应用场景。
    - 低饱和电压: 在各种工作条件下,较低的饱和电压有助于减少能量损耗。
    - 高耐压: 70V的击穿电压,确保了其在高电压环境下稳定工作。
    - 良好的热特性: 较低的热阻,能够在高温环境下正常工作并保持良好的性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 继电器驱动器: 由于其高增益和低饱和电压,ZTX692B是驱动继电器的理想选择。使用时注意保持适当的基极电流以确保足够的驱动能力。
    - 电池供电电路: 低功耗特性和宽温度范围使其适用于电池供电的便携式设备。合理设计电路以减少功耗。
    - 电机驱动: 在电机驱动应用中,可以结合外围电路实现高效的开关控制,从而提高系统的可靠性。

    5. 兼容性和支持


    ZTX692B与市面上常见的PCB兼容,可以通过标准焊接工艺安装。制造商提供了详尽的技术文档和支持,确保用户能够轻松进行设计和维护。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 饱和电压过高。
    - 解决方案: 增加基极电流以降低集电极-发射极电压。
    - 问题: 开关时间过长。
    - 解决方案: 使用较小的栅极电阻来加快开关速度。
    - 问题: 环境温度对性能的影响。
    - 解决方案: 设计合理的散热结构,确保在高环境温度下仍能维持良好性能。

    7. 总结和推荐


    ZTX692B是一款高性能的NPN硅平面中功率高增益晶体管,具有优异的电气特性和广泛的应用范围。其高增益、低饱和电压和高耐压特性使其在众多应用场景中表现出色。推荐用于需要高可靠性和高效性能的应用场合。

ZTX692B参数

参数
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 10mA,1A
集电极截止电流 100nA
VCBO-最大集电极基极电压 70V
最大功率耗散 1W
晶体管类型 NPN
VCEO-集电极-发射极最大电压 70V
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 5V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 10mA,1A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX692B厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX692B数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX692B ZTX692B数据手册

ZTX692B封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.8289
10+ ¥ 3.6582
100+ ¥ 3.2778
500+ ¥ 3.2192
1000+ ¥ 3.1607
5000+ ¥ 3.1607
库存: 3656
起订量: 14 增量: 0
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