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ZVN0545A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 3V@1mA 1个N沟道 450V 50Ω@ 100mA,10V 90mA 70pF@25V TO-92 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZVN0545A
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN0545A

ZVN0545A概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册



    产品简介




    本手册介绍的是ZVN0545A N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET(N沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管)。这是一种高性能的功率半导体器件,广泛应用于电源管理、驱动电路、电机控制等领域。它的基本结构包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G),主要用于放大电压和电流信号。


    技术参数




    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \(V_{DS}\): 450V
    - 连续漏极电流 \(I_D\): 90mA(在Tamb=25°C下)
    - 脉冲漏极电流 \(I_{DM}\): 600mA
    - 栅源电压 \(V_{GS}\): ±20V
    - 功耗 \(P_{tot}\): 700mW(在Tamb=25°C下)
    - 工作和存储温度范围: \(-55\)°C 至 \(+150\)°C

    - 电气特性(在Tamb=25°C,除非另有说明):
    - 漏源击穿电压 \(B_{V(DSS)}\): 450V(ID=1mA, VGS=0V)
    - 栅源阈值电压 \(V_{GS(th)}\): 1V 到 3V(ID=1mA, VDS=VGS)
    - 栅体泄漏电流 \(I_{GSS}\): 20nA(VGS=±20V, VDS=0V)
    - 零栅电压漏极电流 \(I_{DSS}\): 10 µA 至 400 µA(VDS=450V, VGS=0V; VDS=405V, VGS=0V, T=125°C)
    - 正向跨导 \(g_{fs}\): 100mS(VDS=25V, ID=100mA)
    - 输入电容 \(C_{iss}\): 70pF
    - 共源输出电容 \(C_{oss}\): 10pF(VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 反向传输电容 \(C_{rss}\): 4pF
    - 开启延迟时间 \(t_{d(on)}\): 7ns
    - 上升时间 \(t_{r}\): 7ns
    - 关闭延迟时间 \(t_{d(off)}\): 16ns
    - 下降时间 \(t_{f}\): 10ns


    产品特点和优势




    ZVN0545A N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET具有以下显著特点和优势:

    - 高耐压能力:高达450V的漏源电压,适合多种高压应用。
    - 低导通电阻:50Ω的导通电阻确保高效的能量转换。
    - 高可靠性:宽广的工作和存储温度范围(-55°C 至 +150°C),保证长期稳定运行。
    - 快速开关特性:短的开启和关闭延迟时间及上升/下降时间,提升整体系统的响应速度。
    - E-Line TO92封装:与传统TO92封装兼容,易于集成和使用。


    应用案例和使用建议




    应用场景:
    - 电源管理:适用于各种电源管理和稳压电路。
    - 电机控制:在需要高效开关操作的电机控制系统中使用。
    - 驱动电路:可用于各类驱动电路,如LED驱动器、马达驱动等。

    使用建议:
    - 散热设计:由于高功耗,需注意散热设计以避免过热损坏。
    - 保护措施:考虑添加外部保护电路(如瞬态电压抑制器)以提高可靠性。
    - 匹配选择:根据具体应用场景选择合适的外部元件,如匹配电阻、电容等,以优化性能。


    兼容性和支持




    - 兼容性:该产品采用E-Line TO92封装,与传统的TO92封装兼容,便于替换和集成。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括技术咨询、故障排除等,以帮助用户充分利用该产品的性能优势。


    常见问题与解决方案




    | 问题 | 解决方案 |
    |------|--------|
    | 高温环境下工作不稳定 | 使用适当的散热装置,确保良好的热管理。 |
    | 启动时噪音大 | 检查是否有外部噪声干扰,添加滤波电容。 |
    | 寿命短 | 确保在推荐的工作条件下使用,并进行定期检查和维护。 |


    总结和推荐




    ZVN0545A N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET是一款具有优异性能和广泛应用的功率半导体器件。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其成为许多关键应用的理想选择。我们强烈推荐该产品给需要高效、可靠的功率解决方案的工程师和设计师们。

ZVN0545A参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 450V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 50Ω@ 100mA,10V
栅极电荷 -
最大功率耗散 700mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 70pF@25V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Id-连续漏极电流 90mA
配置 独立式
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVN0545A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN0545A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN0545A ZVN0545A数据手册

ZVN0545A封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ ¥ 3.25
8000+ ¥ 2.34
16000+ ¥ 2.301
32000+ ¥ 2.2425
64000+ ¥ 2.2425
库存: 4000
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