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ZXMN7A11KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 6.1 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZXMN7A11KTC TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC概述

    ZXMN7A11K 70V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN7A11K 是一款由 Zetex 生产的70V N-通道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该产品具备低导通电阻和高速开关的特点,适用于高效率和低电压电源管理应用。其主要特点包括低门极驱动需求、快速开关速度和较低的阈值电压。此款 MOSFET 采用 DPAK 封装,广泛应用于直流-直流转换器、电源管理、断路开关、电机控制和 D 类音频输出级等领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 70V
    - 持续漏电流 \(ID\)(在 \(V{GS}=10V\)、\(TA=25°C\)):6.1A
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\): 17A
    - 持续源电流 \(IS\): 8.7A
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.0V
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS}=10V\) 时:0.13Ω
    - 在 \(V{GS}=4.5V\) 时:0.19Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 298pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 35pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 21pF
    - 开关时间 \(td(on)\): 1.9ns
    - 开关时间 \(tr\): 2ns
    - 关断延迟时间 \(td(off)\): 11.5ns
    - 下降时间 \(tf\): 5.8ns
    - 总栅极电荷 \(Qg\):
    - 在 \(V{DS}=35V\) 时:4.35nC
    - 在 \(V{GS}=10V\) 时:7.4nC
    - 源极-漏极二极管正向电压 \(V{SD}\): 0.85-0.95V
    - 其他参数
    - 工作和存储温度范围 \(Tj\), \(T{stg}\): -55°C 至 +150°C
    - 热阻 \(R{JA}\): 30.8°C/W

    产品特点和优势


    ZXMN7A11K 的主要特点是其低导通电阻和高速开关能力,使其非常适合于需要高效率和低损耗的应用场合。其低门极驱动要求使得在实际电路设计中可以减少对外部驱动器的需求,降低了系统的整体成本和复杂度。此外,该 MOSFET 还具有快速的开关特性,进一步提高了系统的整体效率。

    应用案例和使用建议


    ZXMN7A11K 适用于多种应用,如直流-直流转换器、电源管理和电机控制。具体而言,在直流-直流转换器中,它的低导通电阻有助于降低能量损失;在电机控制系统中,其快速开关特性可以显著提升系统响应速度。
    使用建议:
    - 为确保最佳性能,建议在设计电路时保持适当的散热措施。
    - 选择合适的栅极驱动器以匹配其低门极驱动需求。
    - 在高频应用中注意其反向传输电容的影响。

    兼容性和支持


    ZXMN7A11K 与标准的 DPAK 封装兼容,可轻松替换现有应用中的同类产品。Zetex 提供全面的技术支持和产品文档,帮助用户优化其应用设计并解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    - 问: 该 MOSFET 的最大耐压是多少?
    - 答: 最大耐压为 70V。

    - 问: 如何提高其散热性能?
    - 答: 可通过增加散热片或优化 PCB 布局来提高散热性能。
    - 问: 是否可以在高温环境下稳定工作?
    - 答: 可以,其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。

    总结和推荐


    ZXMN7A11K 以其卓越的低导通电阻和高速开关特性,成为电源管理和电机控制应用的理想选择。它不仅性能优异,而且具有广泛的适用性,适合用于需要高效率和低损耗的应用场合。强烈推荐在相关领域进行使用。

ZXMN7A11KTC参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 298pF@40V
栅极电荷 7.4nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 70V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 4.4A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4.2A
通道数量 1
最大功率耗散 2.11W(Ta)
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN7A11KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN7A11KTC数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN7A11KTC ZXMN7A11KTC数据手册

ZXMN7A11KTC封装设计

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1250+ ¥ 2.002
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