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ZTX649STZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 500mV@ 200mA,2A NPN 1W 5V 100nA 35V 25V 2A EP-3SC 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZTX649STZ
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 三极管(BJT) ZTX649STZ

ZTX649STZ概述

    NPN硅平面中功率晶体管 ZTX649

    产品简介


    ZTX649是一款适用于多种工业应用的NPN硅平面中功率晶体管。它具有较高的电流承载能力和较低的饱和电压,能够满足电机驱动和直流-直流转换器等应用的需求。ZTX649采用TO-92封装,具有良好的热稳定性,非常适合在高温环境中使用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压:\(V{CBO}\) = 35 V
    - 集电极-发射极电压:\(V{CEO}\) = 25 V
    - 发射极-基极电压:\(V{EBO}\) = 5 V
    - 峰值脉冲电流:\(I{CM}\) = 6 A
    - 持续集电极电流:\(IC\) = 2 A
    - 功耗(环境温度为25°C):\(P{tot}\) = 1 W,在25°C以上每度降额5.7 mW/°C
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压:\(V{(BR)CBO}\) = 35 V (\(IC\)=100 µA)
    - 集电极-发射极击穿电压:\(V{(BR)CEO}\) = 25 V (\(IC\)=10 mA)
    - 发射极-基极击穿电压:\(V{(BR)EBO}\) = 5 V (\(IE\)=100 µA)
    - 集电极截止电流:\(I{CBO}\) = 0.1 µA (\(V{CB}\)=30 V),10 µA (\(V{CB}\)=30 V,\(T{amb}\)=100°C)
    - 发射极截止电流:\(I{EBO}\) = 0.1 µA (\(V{EB}\)=4 V)
    - 集电极-发射极饱和电压:\(V{CE(sat)}\) = 0.12 V (\(IC\)=1 A,\(IB\)=100 mA),0.3 V (\(IC\)=2 A,\(IB\)=200 mA)
    - 基极-发射极饱和电压:\(V{BE(sat)}\) = 0.9 V (\(IC\)=1 A,\(IB\)=100 mA)
    - 基极-发射极导通电压:\(V{BE(on)}\) = 0.8 V (\(IC\)=1 A,\(V{CE}\)=2 V)
    - 静态正向电流传输比:\(h{FE}\) = 75 (1 A,\(V{CE}\)=2 V)
    - 转换频率:\(fT\) = 240 MHz (\(IC\)=100 mA,\(V{CE}\)=5 V)
    - 热特性
    - 结到环境的热阻:\(R{th(j-amb)1}\) = 175 °C/W,\(R{th(j-amb)2}\) = 116 °C/W
    - 结到外壳的热阻:\(R{th(j-case)}\) = 70 °C/W

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:集电极-基极电压高达35 V,确保在高电压环境下稳定运行。
    2. 低饱和电压:低至0.12 V的饱和电压降低了功耗,提高了效率。
    3. 宽工作温度范围:可在-55°C到+200°C的范围内工作,适应各种严苛环境。
    4. 高电流承载能力:最大持续集电极电流可达2 A,适合驱动大电流负载。
    5. 快速开关特性:转换频率高达240 MHz,确保快速响应,提高电路性能。

    应用案例和使用建议


    ZTX649广泛应用于电机驱动和直流-直流转换器等领域。例如,在电机驱动应用中,可以作为开关器件来控制电机的启停和调速。在直流-直流转换器中,它可以用于调节输出电压,以满足不同负载的需求。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应确保散热良好,特别是在高电流工作条件下,需合理设计散热片。
    - 为了保证电路的稳定性,建议使用外部退耦电容以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    ZTX649与标准的TO-92封装兼容,易于替换同类产品。厂商提供全面的技术支持,包括详细的产品文档和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热保护
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的热传导。定期检查散热系统的工作状态。

    - 问题2:启动时电流过大
    - 解决方案:在电路设计中加入限流电阻或软启动电路,避免瞬间过大的启动电流。

    - 问题3:噪声干扰
    - 解决方案:添加滤波电容和退耦电容,减少电磁干扰对电路的影响。

    总结和推荐


    ZTX649是一款性能优异的NPN硅平面中功率晶体管,具备出色的电气特性和稳定的热特性,适用于多种工业应用。其独特的功能和广泛的适用性使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高可靠性和高效能的应用场合,强烈推荐使用ZTX649。
    如果您正在寻找一款能够在恶劣环境下工作的高性价比晶体管,ZTX649将是您的理想选择。

ZTX649STZ参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 200mA,2A
VCBO-最大集电极基极电压 35V
最大功率耗散 1W
集电极截止电流 100nA
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 25V
晶体管类型 NPN
集电极电流 2A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 500mV@ 200mA,2A
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 EP-3SC
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

ZTX649STZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX649STZ数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX649STZ ZTX649STZ数据手册

ZTX649STZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.288 ¥ 2.5488
6000+ $ 0.2854 ¥ 2.526
库存: 2000
起订量: 2000 增量: 2000
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最小起订量为:2000
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