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ZVN0545ASTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 3V@1mA 1个N沟道 450V 50Ω@ 100mA,10V 90mA 70pF@25V TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZVN0545ASTZ
供应商: 国内现货
标准整包数: 2000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN0545ASTZ

ZVN0545ASTZ概述

    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET ZVN0545A 技术手册解析

    产品简介


    ZVN0545A 是一款 N 沟道增强型垂直 DMOS 场效应晶体管(FET),其主要应用于需要高电压和高性能的应用领域。这类器件广泛用于开关电源、电机驱动、LED 照明系统以及工业自动化控制等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):450 V
    - 连续漏极电流(ID):90 mA (Ta = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):600 mA
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 总功率耗散(Ptot):700 mW (Ta = 25°C)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性(Ta = 25°C,除非另有说明)
    - 漏源击穿电压(BVDSS):450 V (ID = 1 mA, VGS = 0 V)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1 V ~ 3 V (ID = 1 mA, VDS = VGS)
    - 栅体泄漏(IGSS):20 nA (VGS = ±20 V, VDS = 0 V)
    - 零栅压漏电流(IDSS):10 µA ~ 400 µA (VDS = 450 V, VGS = 0; VDS = 405 V, VGS = 0 V, T = 125°C)
    - 导通状态漏极电流(ID(on)):150 mA (VDS = 25 V, VGS = 10 V)
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):50 Ω (VGS = 10 V, ID = 100 mA)
    - 转移电导(gfs):100 mS (VDS = 25 V, ID = 100 mA)
    - 输入电容(Ciss):70 pF
    - 输出电容(Coss):10 pF (VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 反向传输电容(Crss):4 pF
    - 开通延时时间(td(on)):7 ns (VDD ≈ 25 V, ID = 100 mA)
    - 上升时间(tr):7 ns (VDD ≈ 25 V, ID = 100 mA)
    - 关断延时时间(td(off)):16 ns (VDD ≈ 25 V, ID = 100 mA)
    - 下降时间(tf):10 ns (VDD ≈ 25 V, ID = 100 mA)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:最大耐压达 450V,适合高电压应用。
    - 低导通电阻:RDS(on) 为 50Ω,有助于减少功耗和发热。
    - 良好的电气特性:优秀的开关速度,能够快速响应。
    - 宽温操作范围:适用于各种恶劣环境,温度范围 -55°C 至 +150°C。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:ZVN0545A 可以用于高频开关电源中,提高转换效率,降低能耗。
    - 电机驱动:在电机驱动电路中,其高电压耐受能力和快速开关性能可以有效改善电机控制效果。
    - 建议:为了确保最佳性能,在选择外部电路和元件时,需考虑 ZVN0545A 的高频率开关特性和低导通电阻,以优化整体设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN0545A 与 TO92 封装兼容,方便更换和升级。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的使用指南和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,必要时增加滤波电容。
    - 问题2:工作时发热严重。
    - 解决方案:确认散热措施是否充分,如使用散热片或风扇等。
    - 问题3:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查外部电路和元件参数,确保与 ZVN0545A 的特性匹配。

    总结和推荐


    ZVN0545A 在高压、高可靠性要求的应用场景中表现出色,具备优秀的电气特性和稳定性。推荐在开关电源、电机驱动和其他高可靠性应用中使用。建议在设计和应用过程中仔细参考其技术手册,确保正确安装和调试。

ZVN0545ASTZ参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 50Ω@ 100mA,10V
Id-连续漏极电流 90mA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
最大功率耗散 700mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 70pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 450V
配置 独立式
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN0545ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN0545ASTZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN0545ASTZ ZVN0545ASTZ数据手册

ZVN0545ASTZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 10.8643
5000+ ¥ 10.241
8000+ ¥ 10.0629
12000+ ¥ 9.9738
库存: 20000
起订量: 2500 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 27160.75
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型号 价格(含增值税)
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