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ZXMP6A16KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 8.2 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: AV-S-DIIZXMP6A16KTC
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMP6A16KTC

ZXMP6A16KTC概述

    ZXMP6A16K 60V DPAK P-channel Enhancement Mode MOSFET



    产品简介



    ZXMP6A16K 是由 Zetex Semiconductors 生产的一种新型沟槽式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),特别设计用于高效率的电源管理应用。它属于 P 沟道增强型器件,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。这种 MOSFET 主要应用于直流-直流转换器、电源管理功能、断开开关以及电机控制等领域。


    技术参数



    - 基本参数:
    - 漏源电压:-60V
    - 门源电压:±20V
    - 最大连续漏极电流:8.2A @ VGS= -10V, Tamb=25°C;6.5A @ VGS= -10V, Tamb=70°C
    - 脉冲漏极电流:27.2A
    - 最大功耗:4.24W @ Tamb=25°C;9.76W @ Tamb=25°C;2.11W @ Tamb=25°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻:29.45°C/W @ Tamb=25°C;12.8°C/W @ Tamb=25°C;59.1°C/W @ Tamb=25°C

    - 电气特性:
    - 零栅压漏电流:≤ -1.0 μA @ VDS=-60V, VGS=0V
    - 门体泄漏电流:100nA @ VGS=±20V, VDS=0V
    - 门源阈值电压:-1.0V @ ID=-250μA, VDS=VGS
    - 导通状态电阻:0.085Ω @ VGS= -10V, ID= -2.9A;0.125Ω @ VGS= -4.5V, ID= -2.4A
    - 前向跨导:7.2S @ VDS=-15V, ID=-2.9A
    - 输入电容:1021pF @ VDS=-30V, VGS=0V
    - 输出电容:83pF
    - 反向传输电容:56pF

    - 动态特性:
    - 开启延迟时间:3.5ns @ VDD=-30V, ID=-1A
    - 上升时间:4.1ns
    - 关闭延迟时间:35ns
    - 下降时间:10ns
    - 门电荷:12.1nC @ VDS=-30V, VGS=-5V, ID=-2.9A
    - 总门电荷:24.2nC @ VDS=-30V, VGS=-10V, ID=-2.9A


    产品特点和优势



    ZXMP6A16K 的主要特点是其低导通电阻(低至 0.085Ω)和快速开关速度,使其非常适合用于高效率的电源管理。它的低门驱动要求使得它可以轻松集成到现有的电路中,而其独特的结构则保证了优异的性能。这些特性使得该 MOSFET 在各类电源管理和电机控制应用中表现卓越。


    应用案例和使用建议



    ZXMP6A16K 主要用于以下几个领域:
    - 直流-直流转换器:利用其高效率和低功耗特性,提高转换器的转换效率。
    - 电源管理功能:适用于各种电源管理系统,如充电器和适配器。
    - 断开开关:适用于需要频繁切换的应用场景。
    - 电机控制:提供高效的能量传递和控制精度。

    使用建议:
    - 在高功率应用中,确保适当的散热措施,以避免热失效。
    - 注意门电荷和总电荷参数,合理选择外部电阻以优化开关特性。
    - 对于高频应用,考虑采用适当的去耦电容来稳定供电电压。


    兼容性和支持



    ZXMP6A16K 采用 DPAK 封装,该封装在多种电子设备中广泛使用,具有良好的互换性和兼容性。此外,Zetex Semiconductors 提供详尽的技术支持和售后服务,以帮助客户更好地理解和使用该产品。


    常见问题与解决方案



    - 问题:启动时出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热措施是否充分,增加散热片或强制冷却系统。
    - 问题:频率响应不佳。
    - 解决方案:优化门电荷和总电荷参数,适当调整外部电阻。
    - 问题:开关损耗较高。
    - 解决方案:使用低门电荷 MOSFET 或者增加软关断策略。


    总结和推荐



    综上所述,ZXMP6A16K 是一款高性能、高效率的 P 沟道增强型 MOSFET,适用于多种电源管理和电机控制应用。其低导通电阻和快速开关速度使其在同类产品中脱颖而出。我们强烈推荐该产品用于高效率和高可靠性需求的应用场合。

ZXMP6A16KTC参数

参数
栅极电荷 24.2nC@ 10 V
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 2.9A,10V
最大功率耗散 2.11W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.021nF@30V
Id-连续漏极电流 5.4A
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMP6A16KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMP6A16KTC数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMP6A16KTC ZXMP6A16KTC数据手册

ZXMP6A16KTC封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ $ 0.2571 ¥ 2.2755
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