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ZVP0545GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=450 V, 75 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZVP0545GTA SOT223
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP0545GTA

ZVP0545GTA概述

    # ZVP0545G P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    ZVP0545G 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 P 通道增强模式垂直 DMOS 场效应晶体管(Vertical DMOS FET)。它广泛应用于需要高耐压和高效能的电力电子产品中,如开关电源、电机驱动、电动汽车充电系统等。
    主要功能
    - 用于高电压和高电流的应用场合。
    - 可实现高效的能量转换和功率控制。
    - 具有低导通电阻,可减少功耗并提高效率。
    应用领域
    - 开关电源转换器
    - 电池充电电路
    - 电动车辆充电系统
    - 工业电机控制
    - 汽车电子系统

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): -450V
    - 栅源电压 (VGSS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): -75mA
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -150mA
    - 最大功率耗散 (PD): 2W
    - 工作及存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): -450V (VGS = 0V, ID = 1mA)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): -20µA (VDS = -450V, VGS = 0V)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): -20nA (VGS = ±20V, VDS = 0V)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 150Ω (VGS = -10V, ID = -50mA)
    - 输入电容 (Ciss): -120pF (VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容 (Coss): -20pF (VDS = -25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 反向传输电容 (Crss): -5pF
    - 开关时间特性
    - 开通延迟时间 (tD(ON)): -10ns
    - 开通上升时间 (tR): -15ns
    - 关断延迟时间 (tD(OFF)): -15ns
    - 关断下降时间 (tF): -20ns

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高耐压能力:具有高达 450V 的漏源电压,适合高电压环境。
    - 低导通电阻:导通电阻为 150Ω,确保低功耗和高效率。
    - 环保设计:采用无卤素、无锑的“绿色”材料制造,符合 RoHS 标准。
    市场竞争力
    - 可靠性高:能够在极端温度条件下工作,适合各种恶劣环境。
    - 易于集成:SOT223 封装小巧,便于安装和布局。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    ZVP0545G 在开关电源转换器、电池充电电路、电动车辆充电系统中广泛应用。例如,在一个电动汽车充电系统中,它可以有效地控制充电过程中的电流和电压,从而保护充电设备和电池。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑到 ZVP0545G 的高耐压和低导通电阻特性,以充分利用其效能。
    - 在应用过程中,注意控制栅源电压不超过 ±20V,以防止损坏。
    - 针对不同工作温度条件,可参考图 6 和图 7 的特性曲线,选择合适的栅电压和工作电流,以优化电路性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    ZVP0545G 与其他符合 SOT223 封装标准的电子元器件兼容,能够方便地集成到现有的电路板设计中。
    支持信息
    Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持文档和用户指南,帮助用户更好地理解和使用 ZVP0545G。此外,还可以通过官方网站获取最新的产品信息和更新资料。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何正确安装 ZVP0545G?
    解决方案:参照技术手册中的安装指导和图 14,确保正确放置并焊接器件,避免短路和虚焊。
    问题二:在高湿度环境下,器件是否会受影响?
    解决方案:ZVP0545G 的湿敏等级为 1,适用于大多数湿度环境。但在高湿度环境下,建议采取防潮措施,如涂抹防潮漆或使用干燥剂。

    总结和推荐


    综合评估
    ZVP0545G 以其高耐压能力和低导通电阻为特点,具备出色的稳定性和可靠性。尤其适用于高电压和高电流的应用场景,如开关电源和电机驱动系统。它的环保设计和广泛的温度适应性进一步提升了其市场竞争力。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高可靠性的高电压和高电流应用中使用 ZVP0545G。

ZVP0545GTA参数

参数
Id-连续漏极电流 75mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 120pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 150Ω@ 50mA,10V
配置 独立式双drain
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1mA
通道数量 1
最大功率耗散 2W(Ta)
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 450V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVP0545GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP0545GTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP0545GTA ZVP0545GTA数据手册

ZVP0545GTA封装设计

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