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ZXTN2011ZTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN低饱和度双极晶体管, SOT-89封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流4.5 A, 最大集电极-发射电压100 V
供应商型号: ZXTN2011ZTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
DIODES 三极管(BJT) ZXTN2011ZTA

ZXTN2011ZTA概述

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    产品简介


    ZXTN2011Z 是一种由 Diodes Incorporated 生产的100V NPN低饱和中功率晶体管,封装形式为SOT89。该晶体管具有高电流连续能力(IC = 4.5A),峰值脉冲电流能力(ICM = 10A)以及低饱和电压(VCE(sat) < 60mV @ IC = 1A)。ZXTN2011Z 主要应用于电机驱动、线路切换、高压侧开关及电话线接口卡等领域,是一款符合RoHS标准的环保型产品。
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    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 200V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 100V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 7V
    - 持续集电极电流 (IC): 4.5A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 10A
    - 热特性:
    - 功率耗散 (PD): 1.5 W @ TA = 25°C (在静止空气中)
    - 热阻抗 (RθJA): 83 °C/W
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 到 +150°C
    电气特性
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 200 - 235 V @ IC = 100µA
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCER/BVCEO): 200 - 235 V @ IC = 100µA / 1mA
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 7 - 8.1 V @ IE = 100µA
    - 集电极截止电流 (ICBO/ICER): <1 - 500 nA
    - 静态电流传输比 (hFE): 100 - 300 @ IC = 10mA, VCE = 2V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 20 - 195 mV @ IC = 100mA - 10A, IB = 5mA - 500mA
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): <1000 mV @ IC = 5A, IB = 500mA
    - 转换频率 (fT): 130 MHz @ IC = 100mA, VCE = 10V, f = 50MHz
    典型电气特性
    - 输出电容 (Cobo): <26 pF @ VCB = 10V, f = 1MHz
    - 开关时间 (ton/toff): <41ns/1010ns @ VCC = 10V, IC = 1A, IB1 = IB2 = 100mA
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    产品特点和优势


    ZXTN2011Z 的主要特点是其低饱和电压(VCE(sat) < 60mV @ IC = 1A),使得它能够在高电流环境下保持较低的能耗。此外,它的高电流能力(IC = 4.5A)和峰值脉冲电流能力(ICM = 10A)使其适用于多种工业应用。符合AEC-Q101标准,确保其在高可靠性要求的应用中稳定运行。无卤素和锑化合物,环保“绿色”产品,更加符合现代电子制造的环保要求。
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    应用案例和使用建议


    ZXTN2011Z 广泛应用于电机驱动、线路切换和高侧开关等领域。例如,在电机驱动应用中,由于其低饱和电压和高电流能力,可以有效减少功耗并提高效率。建议在使用时,根据实际应用场景选择合适的散热方式以确保晶体管正常工作。例如,在高温环境中可能需要增加外部散热片或采用强制风冷等方式来降低热阻。
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    兼容性和支持


    ZXTN2011Z 与常见的SOT89封装设备具有良好的兼容性。Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持文档和客户服务,帮助客户在设计和使用过程中获得必要的支持。官方网站上的详细文档可提供有关其封装尺寸、引脚配置和建议的焊盘布局等方面的指导。
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    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何判断ZXTN2011Z的工作状态是否正常?
    - A: 可通过测量其静态电流传输比 (hFE) 和集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) 来评估。如果这些参数超出了规定范围,则需要检查电路是否有短路或过载现象。
    2. Q: ZXTN2011Z 在高温环境下的表现如何?
    - A: 在高温环境下,由于其热阻抗较高(RθJA = 83°C/W),需要额外的散热措施以避免过热损坏。建议使用外部散热片或强制风冷来降低温度。
    3. Q: ZXTN2011Z 是否适合用于快速开关应用?
    - A: 由于其转换频率 (fT) 达到130 MHz,适用于需要快速开关的应用场合。但需要注意的是,过快的开关速度可能导致更多的损耗,因此需要权衡具体应用的需求。
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    总结和推荐


    综上所述,ZXTN2011Z是一款具备高可靠性的100V NPN低饱和中功率晶体管,非常适合于电机驱动、线路切换、高压侧开关和电话线接口卡等领域。其显著的低饱和电压和高电流能力使得其在实际应用中表现出色,是值得推荐的产品。为了确保最佳性能,用户需要合理选择散热措施并仔细阅读技术手册,以避免潜在问题的发生。

ZXTN2011ZTA参数

参数
晶体管类型 NPN
集电极电流 4.5A
集电极截止电流 50nA
最大集电极发射极饱和电压 195mV@ 500mA,5A
VCBO-最大集电极基极电压 200V
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 7V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 195mV@ 500mA,5A
最大功率耗散 2.1W
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
4.6mm(Max)
2.6mm(Max)
1.6mm(Max)
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN2011ZTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN2011ZTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN2011ZTA ZXTN2011ZTA数据手册

ZXTN2011ZTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 2.0171
3000+ ¥ 1.9493
10000+ ¥ 1.9154
11000+ ¥ 1.8984
库存: 1000
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