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ZXTN2020FTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流4 A, 最大集电极-发射电压100 V
供应商型号: 14M-ZXTN2020FTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN2020FTA

ZXTN2020FTA概述

    ZXTN2020F 100V, SOT23 NPN 中功率晶体管技术手册

    1. 产品简介


    ZXTN2020F 是一款100V、SOT23封装的NPN中功率晶体管。这款晶体管专为需要高功率处理能力和高性能的小型化应用而设计。主要功能包括高饱和电压和低饱和压降,使其适用于多种应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    ||
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 160 | 200 | V | IC=100µA |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEV | 160 | 200 | V | IC =1µA, -1V< VBE<+0.3V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 100 | 115 | V | IC=10mA |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | 78 | V | IE=100µA |
    | 集电极-发射极截止电流 | ICEV | <1 | 20 | nA | VCES=128V, VBE = -1V |
    | 集电极-基极截止电流 | ICBO | <1 | 20 | nA | VCB=128V |
    | 发射极-基极截止电流 | IEBO | <1 | 10 | nA | VEB=6V |
    | 静态前向电流转移比 | HFE | 100 | 200 | 300 IC=10mA, VCE=2V |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 20 | 50 | 120 | mV | IC=4A, IB=400mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | 0.94 | 1.05 | V | IC=4A, IB=400mA |
    | 基极-发射极开启电压 | VBE(on) | 0.84 | 0.94 | V | IC=4A, VCE=2V |
    | 转换频率 | fT | 130 | MHz | IC=100mA, VCE=10V, f=50MHz |
    | 输出电容 | Cobo | 22 | pF | VCB=10V, f=1MHz |

    3. 产品特点和优势


    - 高功率耗散能力:SOT23封装能够在更小的空间内提供更高的功率处理能力。
    - 高峰值电流:支持高达12A的峰值脉冲电流,适用于高速开关应用。
    - 低饱和电压:饱和电压低至30mΩ,有助于提高系统效率。
    - 高反向阻断电压:最高可达160V,增强了可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用领域:
    - MOSFET和IGBT门驱动
    - 电机驱动
    - 继电器、灯和螺线管驱动
    - 使用建议:
    - 在电机驱动应用中,利用低饱和电压特性可以显著提高效率。
    - 在高频开关应用中,关注转换频率以确保最佳性能。
    - 确保散热条件良好,尤其是在高电流和高频率工作条件下。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 配套型号ZXTP2029F为互补型号。

    - 支持和服务:
    - Zetex公司提供了全球化的销售网络和客户支持服务,详见公司官网(www.zetex.com)。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热现象严重 | 检查散热措施是否充分,增加散热片或风扇。 |
    | 工作不稳定 | 确认电路设计符合规范,检查连接和电源稳定性。 |
    | 饱和电压过高 | 检查输入信号强度和驱动电路,调整偏置电阻。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    ZXTN2020F是一款性能卓越的中功率晶体管,具备高功率处理能力和低饱和电压的特点。它在各种应用中表现出色,特别适合空间受限的应用场合。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐ZXTN2020F用于需要高效能和小型化设计的应用项目。

ZXTN2020FTA参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
集电极电流 4A
最大功率耗散 1.56W
最大集电极发射极饱和电压 0.15@ 400mA,4A
VCBO-最大集电极基极电压 160V
集电极截止电流 20nA
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 7V
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 150mV@ 400mA,4A
长*宽*高 3.05mm*1.4mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN2020FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN2020FTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTN2020FTA ZXTN2020FTA数据手册

ZXTN2020FTA封装设计

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10+ ¥ 2.5621
30+ ¥ 2.0066
100+ ¥ 1.7744
300+ ¥ 1.7081
3000+ ¥ 1.6583
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