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ZVN4206AV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 600 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 9526196
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4206AV

ZVN4206AV概述


    产品简介


    本文将详细介绍一款N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET(N沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管),型号为ZVN4206AV。这款电子元器件主要用于电源管理和驱动控制领域,如汽车继电器驱动、步进电机驱动等。它具有60V的高耐压能力,并且具备良好的热稳定性及可靠性,能够在恶劣的环境下正常工作。

    技术参数


    以下是ZVN4206AV的主要技术规格和技术参数列表:
    - 电压特性
    - Drain-Source电压:60V
    - 最大连续漏极电流:600mA
    - 脉冲漏极电流:8A
    - 最大栅极-源极电压:±20V
    - 功率特性
    - 功率耗散:700mW(Tamb=25°C)
    - 最大体二极管电流:600mA
    - 电气特性
    - 击穿电压:BVDSS = 60V(ID=1mA, VGS=0V)
    - 栅极-源极阈值电压:VGS(th) = 1.3 ~ 3V(ID=1mA, VDS=VGS)
    - 零栅极电压漏极电流:IDSS = 10~100μA(VDS=60V, VGS=0;VDS=48V, VGS=0V, T=125°C(2))
    - 静态漏极-源极导通电阻:RDS(on) = 1 ~ 1.5Ω(VGS=10V,ID=1.5A;VGS=5V,ID=.0.5A)
    - 前向转移电导:gfs = 300mS(VDS=25V,ID=1.5A)
    - 输入电容:Ciss = 100pF
    - 输出电容:Coss = 60pF
    - 反向传输电容:Crss = 20pF
    - 开关特性
    - 导通延时时间:td(on) = 8ns
    - 上升时间:tr = 12ns
    - 关断延时时间:td(off) = 12ns
    - 下降时间:tf = 15ns

    产品特点和优势


    - 高耐压能力:60V的耐压等级使得ZVN4206AV能够应用于多种高压环境。
    - 低导通电阻:RDS(on) = 1 ~ 1.5Ω,确保了较低的功率损耗和高效能。
    - 快速开关特性:快速的上升和下降时间确保了高效的信号响应速度。
    - 无需瞬态保护:独特的设计使得ZVN4206AV不需要额外的瞬态保护措施。
    - 适用于逻辑驱动:其在5V逻辑驱动下表现出色,适合现代电子系统中的广泛使用。

    应用案例和使用建议


    ZVN4206AV可以广泛应用于汽车继电器驱动和步进电机驱动等场合。在使用过程中,建议关注以下几个方面以优化性能:
    - 确保电路设计满足ZVN4206AV的电气参数要求,避免过高的电压或电流导致器件损坏。
    - 考虑到其工作温度范围宽广(-55°C至+150°C),确保散热设计合理,特别是在高温环境下使用。
    - 使用合适尺寸的栅极驱动器,以获得最优的开关时间和性能。

    兼容性和支持


    ZVN4206AV的设计符合TO92封装标准,易于与其他电路板组件进行焊接安装。制造商通常会提供详细的技术文档和支持服务,包括电路设计指南、故障排除手册和样品测试报告。对于用户来说,及时联系技术支持团队可以有效解决复杂问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境中运行时,器件表现不佳。
    - 解决方案: 检查并优化散热设计,例如增加散热片或使用更高散热效率的材料。

    2. 问题:开关速度较慢。
    - 解决方案: 确认栅极驱动器的输出能力,必要时更换更大功率的驱动器。

    总结和推荐


    ZVN4206AV是一款高性能的N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET,具备高耐压、低导通电阻和快速开关等优点。它特别适合用于需要高可靠性的汽车电子系统和其他高压应用环境。鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在相关项目中使用ZVN4206AV。

ZVN4206AV参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
通道数量 1
Id-连续漏极电流 600mA
最大功率耗散 700mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 1.5A,10V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVN4206AV厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4206AV数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4206AV ZVN4206AV数据手册

ZVN4206AV封装设计

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10+ ¥ 3.0143
100+ ¥ 2.7008
500+ ¥ 2.7008
1000+ ¥ 2.6043
5000+ ¥ 2.6043
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