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ZXMN3G32DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W 20V 3V@ 250µA 10.5nC@ 10V 2个N沟道 30V 28mΩ@ 6A,10V 5.5A 472pF@15V SOIC-8 贴片安装 5mm*4mm*1.5mm
供应商型号: 30C-ZXMN3G32DN8TA SO-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA概述

    ZXMN3G32DN8 30V SO8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMN3G32DN8 是一款由 Zetex 公司生产的新型 Trench MOSFET(沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要用于低导通电阻和快速开关速度的应用场景。它特别适合于直流到直流转换器、电源管理功能、电机控制以及背光驱动等领域。

    2. 技术参数


    ZXMN3G32DN8 的主要技术参数如下:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 | 备注 |
    |
    | 漏源击穿电压 (Drain-Source Breakdown Voltage) | 30 | - | - | V | ID= 250μA, VGS=0V |
    | 零门极漏电流 (Zero Gate Voltage Drain Current) | - | - | 0.5 | μA | VDS= 30V, VGS=0V |
    | 门极体泄漏 (Gate-Body Leakage) | - | 100 | - | nA | VGS=±20V, VDS=0V |
    | 门极阈值电压 (Gate-Source Threshold Voltage) | 1.0 | 3.0 | - | V | ID= 250μA, VDS=VGS |
    | 静态导通电阻 (Static Drain-Source On-State Resistance) | 0.028 | - | 0.045 | Ω | VGS= 10V, ID= 6.0A;VGS= 4.5V, ID= 4.9A |
    | 前向跨导 (Forward Transconductance) | - | 12 | - | S | VDS= 15V, ID= 6.0A |
    | 输入电容 (Input Capacitance) | - | 472 | - | pF | VDS= 15V, VGS=0V |
    | 输出电容 (Output Capacitance) | - | 178 | - | pF | VDS= 15V, VGS=0V |
    | 反向转移电容 (Reverse Transfer Capacitance) | - | 65 | - | pF | VDS= 15V, VGS=0V |

    3. 产品特点和优势


    ZXMN3G32DN8 的主要特点和优势包括:
    - 低导通电阻:典型值为 0.028Ω (VGS=10V, ID=6.0A),能够有效降低功耗并提高能效。
    - 快速开关速度:典型上升时间(tr)为 3.1ns,典型的总门极电荷(Qg)为 10.5nC,适合高速操作的应用场景。
    - 4.5V 门极驱动能力:提供更好的适应性,方便使用较低电压驱动器。
    这些特性使得 ZXMN3G32DN8 在 DC-DC 转换器、电源管理和电机控制等领域表现出色,具备较强的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMN3G32DN8 广泛应用于多个领域,如:
    - 直流到直流转换器:利用其低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升效率。
    - 电源管理功能:适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。
    - 电机控制:低导通电阻和快速开关使其成为电机驱动的理想选择。
    - 背光驱动:可以用于 LCD 显示器等应用的背光驱动。
    建议使用时注意:
    - 确保在适当的散热条件下工作,以避免过热损坏。
    - 使用合适的栅极驱动电路来确保其快速且可靠的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    ZXMN3G32DN8 采用标准的 SO8 封装,易于与其他主流组件兼容。制造商提供了详细的技术支持和维护服务,客户可以通过官方网站联系到最近的销售办事处获取进一步的支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免 MOSFET 过热?
    解决方案: 确保使用适当的散热措施,例如增加散热片或改善 PCB 散热设计。
    - 问题:如何优化 MOSFET 的开关性能?
    解决方案: 优化栅极驱动电路的设计,例如使用较低阻抗的栅极驱动器。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMN3G32DN8 是一款优秀的高性能 MOSFET,具备低导通电阻、快速开关和高可靠性等特点。特别适合需要高效能和高速度的直流到直流转换器、电源管理和电机控制等应用场合。强烈推荐在相关项目中使用此产品。
    对于那些寻求高性能、高可靠性的设计工程师,ZXMN3G32DN8 是一个非常值得考虑的选择。

ZXMN3G32DN8TA参数

参数
最大功率耗散 2.1W
栅极电荷 10.5nC@ 10V
通道数量 2
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
配置
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 6A,10V
Id-连续漏极电流 5.5A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 472pF@15V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 5mm*4mm*1.5mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN3G32DN8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3G32DN8TA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3G32DN8TA ZXMN3G32DN8TA数据手册

ZXMN3G32DN8TA封装设计

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