处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.11W(Ta) 20V 4V@ 250µA 5.4nC@ 10 V 1个N沟道 100V 350mΩ@ 2.6A,10V 2.4A 274pF@50V TO-252-3 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: ZXMN10A11KTC
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC概述

    ZXMN10A11K: 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    ZXMN10A11K 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 100V N 沟道增强型 MOSFET。它专为高效率电源管理设计,具有低导通电阻和卓越的开关性能。这款 MOSFET 主要应用于电机控制、DC-DC 转换器、电源管理和不间断电源系统。

    2. 技术参数


    ZXMN10A11K 的技术参数如下:
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | 100 | —— | —— | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | —— | —— | V |
    | 持续漏极电流 | ID | —— | 3.5 | 2.8 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | —— | 9.9 | —— | A |
    | 持续源极电流(体二极管) | IS | —— | 8.4 | —— | A |
    | 脉冲源极电流(体二极管) | ISM | —— | 9.9 | —— | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | —— | 0.350 | 0.450 | Ω |
    | 静态栅极阈值电压 | VGS(th) | 2 | —— | 4 | V |
    | 输入电容 | Ciss | —— | 274 | —— | pF |
    | 输出电容 | Coss | —— | 21 | —— | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | —— | 11 | —— | pF |
    | 栅极总电荷 | Qg | —— | 3.5 | 5.4 | nC |

    3. 产品特点和优势


    ZXMN10A11K 的主要特点包括:
    - 快速开关速度:适用于需要高效能转换的应用。
    - 低输入电容:有助于降低功耗。
    - 绿色组件和符合 RoHS 标准。
    - 符合 AEC-Q101 标准,适用于高可靠性要求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMN10A11K 主要应用于:
    - 电机控制:例如风扇和泵的驱动电路。
    - DC-DC 转换器:用于电源转换。
    - 电源管理功能:用于各种电子设备中的电源管理。
    - 不间断电源(UPS):确保设备在主电源故障时能够继续运行。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,应考虑到快速开关速度和低输入电容的优势。
    - 确保电路设计中提供适当的散热措施,以防止过热。
    - 使用适当的 PCB 布局,减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - ZXMN10A11K 采用 TO252-3L 封装,适用于大多数标准电路板布局。
    - Diodes Incorporated 提供详尽的技术支持,包括在线资源、文档和客户支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 过热。
    解决方案:确保电路设计中有足够的散热措施,如添加散热片或优化 PCB 布局。
    - 问题2:开关速度不够快。
    解决方案:检查驱动电路的性能,确保使用适当的栅极电阻和电源电压。
    - 问题3:性能不稳定。
    解决方案:确保电路设计符合所有电气参数要求,特别是在高温和低温环境下。

    7. 总结和推荐


    综上所述,ZXMN10A11K 是一款非常适合高效率电源管理和高可靠性应用的 N 沟道 MOSFET。其快速开关速度、低输入电容和高可靠性使其成为众多电子设备的理想选择。我们强烈推荐 ZXMN10A11K 在电机控制、DC-DC 转换器和其他相关应用中的使用。

ZXMN10A11KTC参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 350mΩ@ 2.6A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 2.4A
最大功率耗散 2.11W(Ta)
栅极电荷 5.4nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式双drain
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 274pF@50V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN10A11KTC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN10A11KTC数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN10A11KTC ZXMN10A11KTC数据手册

ZXMN10A11KTC封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 3.2548
5000+ ¥ 3.0681
8000+ ¥ 3.0147
12000+ ¥ 2.988
库存: 25000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 8137
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336