处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.1W(Ta) 20V 1V@ 250µA 5.8nC@ 10 V 1个N沟道 60V 80mΩ@ 4.8A,10V 2.8A 459pF@40V SOT-26 贴片安装
供应商型号: ZXMN6A08E6QTA
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA概述

    ZXMN6A08E6Q 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN6A08E6Q 是一种专为高效电源管理应用设计的60V N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该MOSFET通过优化栅极驱动电压和降低通态电阻来实现低导通损耗和高速开关性能,使其适用于直流到直流转换器、功率管理、断路开关和电机控制等领域。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 管压降 V(BR)DSS: 60V
    - 持续漏电流 VGS=10V: 3.5A(TA=+70°C)
    - 脉冲漏电流 VGS=10V: 16A
    - 漏源导通电阻 RDS(ON):
    - 80mΩ @ VGS=10V
    - 150mΩ @ VGS=4.5V
    - 热性能:
    - 功耗 PD: 1.1W
    - 热阻 RθJA: 113°C/W
    - 工作温度范围 TJ, TSTG: -55°C 到 +150°C
    - 动态特性:
    - 输入电容 Ciss: 459pF
    - 输出电容 Coss: 44.2pF
    - 逆传输电容 Crss: 24.1pF
    - 其他:
    - 零栅压漏电流 IDSS: ≤ 0.5μA
    - 栅源漏电流 IGSS: ±100nA
    - 最小开启门限电压 VGS(th): 1V
    - 前向转移电导 gfs: 6.6S
    - 反向恢复时间 trr: 19.2ns
    - 反向恢复电荷 Qrr: 30.3nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(ON)): 高效管理能耗,降低发热。
    2. 快速开关速度: 适用于高频应用,提高效率。
    3. 低栅极驱动: 降低驱动电路复杂度和成本。
    4. 低阈值电压: 改善启动性能,易于驱动。
    5. 无铅,完全符合RoHS标准: 适合绿色环保应用。
    6. 符合AEC-Q101标准: 高可靠性,适用于汽车和工业应用。

    应用案例和使用建议


    - 直流到直流转换器 (DC-DC Converter): 由于其高效率和快速开关能力,适合用于电池管理和电源适配器。
    - 断路开关: 快速开关特性使其成为高效短路保护的理想选择。
    - 电机控制: 低导通电阻有助于降低电机驱动的损耗。
    使用建议:
    - 选择合适的栅极驱动电压以优化功耗和开关速度。
    - 使用适当的散热措施,如散热片或散热器,确保长时间运行的稳定性。
    - 在大电流应用中,需注意电路板布局以减小杂散电感。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性: SOT26 封装形式,适用于多种应用板设计。
    - 制造商支持: Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和产品支持服务,确保客户顺利使用和开发。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中的过热。
    - 解决方案: 选择合适的散热方案,确保MOSFET在安全温度范围内工作。
    - 问题2: 栅极驱动信号不稳定。
    - 解决方案: 使用高质量的栅极驱动器并适当添加去耦电容。
    - 问题3: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 优化电路板布局,尽量减少杂散电感和寄生电容的影响。

    总结和推荐


    ZXMN6A08E6Q 是一款高度集成且性能卓越的N沟道MOSFET,特别适合于需要高效能、低能耗的应用。其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性使其成为电源管理和电机控制领域的首选。强烈推荐给需要高性能MOSFET的工程师和技术人员。

ZXMN6A08E6QTA参数

参数
最大功率耗散 1.1W(Ta)
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 459pF@40V
栅极电荷 5.8nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 4.8A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2.8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN6A08E6QTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN6A08E6QTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA数据手册

ZXMN6A08E6QTA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.7255
6000+ ¥ 1.6675
10000+ ¥ 1.6385
15000+ ¥ 1.624
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 4313.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336