处理中...

首页  >  产品百科  >  ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 3.5V@1mA 1个P沟道 200V 25Ω@ 150mA,10V 120mA 100pF@25V TO-92 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZVP2120ASTZ
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ概述

    ZVP2120A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET

    产品简介


    ZVP2120A 是一种 P 沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical DMOS FET)。该产品主要应用于高压开关电路中,因其高耐压能力和低导通电阻而广受好评。此外,它还适用于电源管理、电机控制和其他需要高压开关的应用领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):-200 V
    - 连续漏电流(Tamb=25°C)(ID):-120 mA
    - 脉冲漏电流(IDM):-1.2 A
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 功率耗散(Tamb=25°C)(Ptot):700 mW
    - 工作及存储温度范围(Tj:Tstg):-55 至 +150 °C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-200 V(ID=-1mA, VGS=0V)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):-1.5 至 -3.5 V(ID=-1mA, VDS=VGS)
    - 栅体漏电流(IGSS):20 nA(VGS=±20V, VDS=0V)
    - 零栅电压漏电流(IDSS):-10 µA 至 -100 µA(VDS=-200 V, VGS=0; VDS=-160 V, VGS=0V, T=125°C)
    - 导通漏电流(ID(on)):-300 mA(VDS=-25 V, VGS=-10V)
    - 导通状态电阻(RDS(on)):25 Ω(VGS=-10V, ID=-150mA)
    - 前向跨导(gfs):50 mS(VDS=-25V, ID=-150mA)
    - 输入电容(Ciss):100 pF
    - 输出电容(Coss):25 pF(VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 反转转移电容(Crss):7 pF
    - 开启延迟时间(td(on)):7 ns(VDD≈-25V, ID=-150mA)
    - 上升时间(tr):15 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):12 ns
    - 下降时间(tf):15 ns

    产品特点和优势


    ZVP2120A 在高压应用中表现出色,具有以下显著特点:
    - 高耐压能力:其最高可达 -200 V 的漏源电压使得它非常适合高压环境下的应用。
    - 低导通电阻:RDS(on)=25Ω,确保在开关状态下有较低的功率损耗。
    - 良好的热稳定性:宽泛的工作和存储温度范围使其适用于各种恶劣环境。
    - 出色的动态特性:快速的开启和关闭时间确保其能高效地切换信号。

    应用案例和使用建议


    ZVP2120A 主要应用于高压开关电路,例如电源管理和电机控制。以下是两个具体应用案例:
    1. 电源转换器:在开关电源转换器中,ZVP2120A 作为主控开关管,可以有效地实现电压调节和电流控制,从而提高系统的效率。

    2. 电机驱动:在电动机驱动系统中,ZVP2120A 用于控制电动机的通断,从而实现精确的速度和方向控制。
    使用建议:
    - 确保电路设计合理,避免因过高的瞬态电压导致损坏。
    - 考虑散热措施,特别是在大电流情况下使用时,应提供良好的散热条件以确保器件正常工作。

    兼容性和支持


    ZVP2120A 具有 E-Line TO92 封装,可与同类产品互换使用。制造商提供了详尽的技术支持文档和维护服务,用户可通过官方网站获取这些资源。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热
    - 解决方案:增加散热片或风扇,改善散热条件。
    2. 问题:输出不稳定
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确认输入电压符合要求。
    3. 问题:漏电流过大
    - 解决方案:更换合适的外部电阻,降低栅极电阻值以减小漏电流。

    总结和推荐


    综上所述,ZVP2120A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 以其高耐压能力、低导通电阻和良好的热稳定性,在高压应用中表现出色。其广泛的电气特性和优秀的动态响应使其成为众多应用的理想选择。对于需要高压开关和良好开关性能的应用场景,强烈推荐使用 ZVP2120A。

ZVP2120ASTZ参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 100pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 25Ω@ 150mA,10V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 700mW(Ta)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 120mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
栅极电荷 -
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装

ZVP2120ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP2120ASTZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP2120ASTZ ZVP2120ASTZ数据手册

ZVP2120ASTZ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 0.3223 ¥ 2.8522
6000+ $ 0.3194 ¥ 2.8268
库存: 20000
起订量: 2000 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:2000
合计: ¥ 5704.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336