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ZVN4306AV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 850mW(Ta) 20V 3V@1mA 1个N沟道 60V 330mΩ@ 3A,10V 1.1A 350pF@25V TO-92 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 3943947
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4306AV

ZVN4306AV概述

    # N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术概述

    产品简介


    N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 是一款高性能功率场效应晶体管(FET),采用垂直双扩散结构设计,适用于多种高压和高电流应用。其主要特征包括60伏特耐压、低导通电阻(RDS(on) = 0.33Ω)以及重复雪崩能力,广泛应用于汽车继电器驱动、步进电机驱动和直流-直流转换器等领域。
    主要功能
    - 支持高达60V的漏源电压(VDS)
    - 具备快速开关能力和低导通损耗
    - 高可靠性设计,适合恶劣工作环境
    应用领域
    - 汽车领域:继电器和电磁阀驱动电路
    - 工业自动化:步进电机控制与驱动
    - 能源管理:DC-DC转换器及电池管理系统

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS 60 V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.3 | 3 V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.22 | 0.33 | 0.45 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 350 pF |
    | 输出电容 | Coss 140 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss 30 | pF |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | 10 100 | µA |
    | 连续漏极电流 | ID 1.1 A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM 15 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:150°C/W(结到环境),50°C/W(结到外壳)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:典型值为0.33Ω,保证了高效能电力传输。
    2. 高重复雪崩能力:支持高达25mJ的重复雪崩能量,增强了抗浪涌能力。
    3. 宽泛的工作温度范围:适应极端环境下的稳定运行。
    4. 快速开关速度:优秀的开关特性使其适合高频应用场景。
    5. 兼容性强:与常见的PCB布局兼容,易于集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在汽车领域,这款FET可作为继电器驱动器的核心组件,提供高精度的电流控制。
    - 在工业自动化中,它常用于步进电机驱动器,满足快速响应的需求。
    使用建议
    - 在设计中需考虑热管理问题,确保良好的散热设计以避免过温现象。
    - 当用于高压场合时,务必注意匹配外围电路的保护机制,例如过流保护和浪涌抑制电路。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-92封装,与传统标准完全兼容,便于直接替换。Zetex公司及其全球代理商网络提供全面的技术支持和服务,包括样片申请、技术支持和售后维护。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间出现异常发热 | 检查电路是否存在短路,增加外部散热器 |
    | 开关速度慢 | 调整驱动电路的偏置电阻 |
    | 工作电流超出额定值 | 增加限流电阻 |

    总结和推荐


    ZVN4306AV是一款性能卓越的N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET,凭借其低导通电阻、高重复雪崩能力及宽广的工作温度范围,成为众多高压应用的理想选择。无论是汽车电子还是工业自动化,该产品都能提供可靠且高效的解决方案。因此,我们强烈推荐此款产品给需要高性能FET的工程师和技术人员。
    如果您正在寻找一款兼具性能和可靠性的功率器件,ZVN4306AV无疑是您的首选!

ZVN4306AV参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V
最大功率耗散 850mW(Ta)
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 330mΩ@ 3A,10V
Id-连续漏极电流 1.1A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 -
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVN4306AV厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4306AV数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4306AV ZVN4306AV数据手册

ZVN4306AV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 9.7334
10+ ¥ 7.8919
100+ ¥ 7.2343
500+ ¥ 7.2343
1000+ ¥ 7.1027
5000+ ¥ 7.1027
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